点m(cos680度,tan280度)位于直角坐标系面的第几象限

已知角θ的终边经过点P(m≠0),且sinθ,试判断θ所在的象限,并求cosθ和tanθ的值_百度知道
已知角θ的终边经过点P(m≠0),且sinθ,试判断θ所在的象限,并求cosθ和tanθ的值
已知角θ的终边经过点P(-根号3,m)(m≠0),且sinθ=(根号2)m/4,试判断θ所在的象限,并求co互骸皋缴薤剂鸽烯龚楼sθ和tanθ的值
θ有两个象限吗?
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sinθ=√2m/4=m/r所以r=2√2所以cosθ=-√3/2√2=-√6/4因为3+m^2=r^2=8,所以m=±√5当m=√5时,θ在第二象限tanθ=互骸皋缴薤剂鸽烯龚楼-√5/√3=-√15/3当m=-√5时,θ在第三象限tanθ=√5/√3=√15/3
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果然有两个,谢谢啦
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出门在外也不愁已知sinθ*cosθ&0且cosθ的绝对值=cosθ则点P(tanθ,secθ)在第几象限_百度知道
已知sinθ*cosθ&0且cosθ的绝对值=cosθ则点P(tanθ,secθ)在第几象限
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cosθ绝值=cosθ所cosθ&0
sinθ&0tanθ&0
secθ=1/cosθ&0
所点<img class="word-replace" src="/api/getdecpic?picenc=0a007a象限
sinθ*cosθ&0且cosθ的绝对值=cosθ 可以得出sinθ&0,cosθ&0 则θ在第四象限,所以tanθ&0,secθ&0,点P(tanθ,secθ)在第二象限
这一答案和你的不一样
他的可能认为secθ是正弦的倒数了
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sinθ*cosθ&0且cosθ绝值=cosθsinθ&0cosθ&0则θ第四象限所tanθ&0secθ&0点P(tanθ,secθ)第二象限
绝对值的相关知识
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出门在外也不愁如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限CD边界左侧有垂直于坐标平面向外的匀强磁场,磁感应强度为B,一质量为m,电荷量为q的带负电粒子(不计重力)从y轴正半轴上距坐标原点O距离为L的M点以速度v0沿x轴正方向射入电场,经x轴上的N点与x轴正方向成53°射入磁场,最后垂直CD边界进入右侧电场.(已知sin53=0.8°,cos53°=0.6)(1)粒子在匀强磁场中运动的轨迹半径;(2)O、P两点间的距离;(3)粒子从M出发到第二次通过CD边界所经历的时间.-乐乐题库
& 带电粒子在匀强磁场中的运动知识点 & “如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过...”习题详情
132位同学学习过此题,做题成功率68.9%
如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限CD边界左侧有垂直于坐标平面向外的匀强磁场,磁感应强度为B,一质量为m,电荷量为q的带负电粒子(不计重力)从y轴正半轴上距坐标原点O距离为L的M点以速度v0沿x轴正方向射入电场,经x轴上的N点与x轴正方向成53°射入磁场,最后垂直CD边界进入右侧电场.(已知sin53=0.8°,cos53°=0.6)(1)粒子在匀强磁场中运动的轨迹半径;(2)O、P两点间的距离;(3)粒子从M出发到第二次通过CD边界所经历的时间. 
本题难度:一般
题型:解答题&|&来源:2013-安徽模拟
分析与解答
习题“如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限CD边界左...”的分析与解答如下所示:
(1)根据平行四边形定则求出粒子进入磁场的速度,结合洛伦兹力通过向心力求出粒子在磁场中运动的轨道半径.(2)根据粒子在电场中做类平抛运动的规律,求出0N的距离,结合粒子在磁场中运动的轨道半径,通过几何关系求出OP间的距离.(3)粒子在电场中先做类平抛运动,然后进入磁场做匀速圆周运动,最后进入电场做匀变速直线运动,结合运动学公式和在磁场中运动的周期公式求出粒子从M出发到第二次通过CD边界所经历的时间.
解:(1)粒子在竖直向上的匀强电场中做类平抛运动,设粒子过N点时速度为v,由平抛规律得:vcos53°=v0------------①粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动,设其轨迹半径为R,由牛顿运动定律得:qvB=mv2R----------------②解①②得:R=5mv03qB.(2)设粒子在竖直向上的匀强电场中运动时间为t1,加速度大小为a,则有:L=1212------------③v0tan53°=at1------------④ON=v0t1------------⑤解得OP=ON+Rsin53°=32L+4mv03qB.(3)设粒子在匀强磁场中运动时间为t2,则由几何关系得:t2=53360T=2πmqB&所以t2=53πm180qB1=3L2v03,有t3=2va1+t2+t3=21L4v0R=5mv03qB;(2)O、P两点间的距离OP=32L+4mv03qB;(3)粒子从M出发到第二次通过CD边界所经历的时间t=21L4v0+53πm180qB.
本题考查带电粒子在电场和磁场中的运动,在磁场中运动,关键确定圆心、半径,结合半径公式和周期公式进行求解.
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如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限...
错误类型:
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经过分析,习题“如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限CD边界左...”主要考察你对“带电粒子在匀强磁场中的运动”
等考点的理解。
因为篇幅有限,只列出部分考点,详细请访问。
带电粒子在匀强磁场中的运动
与“如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限CD边界左...”相似的题目:
如图所示,在xOy平面内,一带电粒子在x轴上的P点以某一速率沿与x轴正方向夹角为450的方向射出.运动过程中经过了一与xy平面垂直的圆形匀强磁场区域的偏转后,最后击中了x轴上的Q点.现已知P、Q两点坐标分别为(-a,0)、(a,0),在磁场内外运动的时间相等,且粒子轨道是轴对称的.试确定满足此题意情况下的最小磁场的圆心位置坐标及面积大小.&&&&
如图所示,水平导线中有电流I通过,导线正下方的电子初速度的方向与电流I的方向相同,则电子将&&&&沿路径a运动,轨迹是圆沿路径a运动,轨迹半径越来越大沿路径a运动,轨迹半径越来越小沿路径b运动,轨迹半径越来越小
如图所示,所以O为圆心,R为半径的圆形区域内,有一个水平方向的匀强磁场,磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向外;竖直平行放置的极板A、K相距为d,AK之间的电压可以调节,S1、S2为A、K极板上的两个小孔,且S1、S2和O三点在垂直于极板的同一直线上,OS2=R;质量为m、电量为q的正离子从S1进入电场后,自S2射出并进入磁场区域,不计重力和离子进入电场时的初速度,问:(1)为使正离子射出磁场时的速度的方向与进入时重直,A、K之间的电压应为多大?(2)粒子在磁场中的运动时间多长?&&&&
“如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过...”的最新评论
该知识点好题
1如图,半径为R的圆柱形匀强磁场区域的横截面(纸面),磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向外.一电荷量为q(q>0)、质量为m的粒子沿平行于直径ab的方向射入磁场区域,射入点与ab的距离为R2.已知粒子射出磁场与射入磁场时运动方向间的夹角为60°,则粒子的速率为(不计重力)&&&&
2在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+&&&&
3如图,两个初速度大小相同的同种离子a和b,从O点沿垂直磁场方向进人匀强磁场,最后打到屏P上.不计重力.下列说法正确的有&&&&
该知识点易错题
1如图所示,边长为L、不可形变的正方形导线框内有半径为r的圆形磁场区域,其磁感应强度B随时间t的变化关系为B=kt(常量k>0).回路中滑动变阻器R的最大阻值为R0,滑动片P位于滑动变阻器中央,定值电阻R1=R0、R2=R02.闭合开关S,电压表的示数为U,不考虑虚线MN右侧导体的感应电动势,则&&&&
2如图,两个初速度大小相同的同种离子a和b,从O点沿垂直磁场方向进人匀强磁场,最后打到屏P上.不计重力.下列说法正确的有&&&&
3图a为测量分子速率分布的装置示意图.圆筒绕其中心匀速转动,侧面开有狭缝N,内侧贴有记录薄膜,M为正对狭缝的位置.从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上的S缝后进入狭缝N,在圆筒转动半个周期的时间内相继到达并沉积在薄膜上.展开的薄膜如图b所示,NP,PQ间距相等.则&&&&
欢迎来到乐乐题库,查看习题“如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限CD边界左侧有垂直于坐标平面向外的匀强磁场,磁感应强度为B,一质量为m,电荷量为q的带负电粒子(不计重力)从y轴正半轴上距坐标原点O距离为L的M点以速度v0沿x轴正方向射入电场,经x轴上的N点与x轴正方向成53°射入磁场,最后垂直CD边界进入右侧电场.(已知sin53=0.8°,cos53°=0.6)(1)粒子在匀强磁场中运动的轨迹半径;(2)O、P两点间的距离;(3)粒子从M出发到第二次通过CD边界所经历的时间.”的答案、考点梳理,并查找与习题“如图所示,在平面直角坐标系xoy中,有过x轴正半轴的P点平行y轴的直线边界CD,第I象限CD边界左侧有竖直向上的匀强电场,第IV象限CD边界右侧有水平向右的匀强电场,两电场电场强度大小相等,第IV象限CD边界左侧有垂直于坐标平面向外的匀强磁场,磁感应强度为B,一质量为m,电荷量为q的带负电粒子(不计重力)从y轴正半轴上距坐标原点O距离为L的M点以速度v0沿x轴正方向射入电场,经x轴上的N点与x轴正方向成53°射入磁场,最后垂直CD边界进入右侧电场.(已知sin53=0.8°,cos53°=0.6)(1)粒子在匀强磁场中运动的轨迹半径;(2)O、P两点间的距离;(3)粒子从M出发到第二次通过CD边界所经历的时间.”相似的习题。若 –π&#47;2&a&0,则点(tanα,cosα) 位于第几象限?分析过程_百度知道
若 –π&#47;2&a&0,则点(tanα,cosα) 位于第几象限?分析过程
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因为–π/2&a&0所以tanα&0;cosα&0所以(tanα,cosα)就是x轴是负的 ,y轴是正的
所以就是第二象限。
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