战舰世界泛亚线SRAM地址线和资料的对不上是怎么回事IS62wv51216bLL-55TLi

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-06-09 07:39 标签： 战舰世界英系战列舰线
请教一个关于SRAM的设计问题，如何让IS62WV51216和IS62WV25616兼容_百度知道
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请教一个关于SRAM的设计问题，如何让IS62WV51216和IS62WV25616兼容
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“16”表示16位数据总线注意芯片型号，即表示每个地址上的数据是16位（2个字节），因此只需要18个地址线就够了；“8”表示8位数据总线，即表示每个地址上的数据是8位（1个字节）：IS62WV51216IS62WV5128两种都表示为512K的SRAM，注意两者后面的“16”和“8”的区别
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回答问题，赢新手礼包IS62WV51216BLL
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技术资料——
IS62WV51216BLL 概述
　　ISSI的IS62WV51216BLL是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率，低功耗静态随机存取存储器。IS62WV51216BLL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。
　　当/CS1处于高电平或CS2处于低电平（未选中）时，或者/CS1处于低电平，CS2处于高电平并且/LB和/UB都为高时，IS62WV51216BLL进入待机模式。在此模式下，功耗可降低至CMOS输入标准。
　　使用IS62WV51216BLL的片选引脚和输出使能引脚，可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位（/UB）存取和低位（/LB）存取。
IS62WV51216BLL 参数
IS62WV51216BLL基本参数
8M (512K*16)
2.5V--3.6V
IS62WV51216BLL封装与引脚
IS62WV51216BLL接口类型
IS62WV51216BLL 特性
IS62WV51216BLL 主要特性如下：
存取时间：45ns,55ns
全静态操作：不需时钟或刷新
输入输出兼容TTL标准
独立供电：2.5V--3.6V Vdd
高字节数据和低字节数据可分别控制
低功耗操作
CMOS低功耗操作— 12μW（典型值）CMOS待机模式— 36mW（典型值）操作功耗
可选工业级温度
MBGA48,TSOP2-44封装IS62WV51216BLL-55TLI (ISSI [512K ×16低电压，超低功耗CMOS静态RAM]) PDF技术资料下载
IS62WV51216BLL-55TLI 供应信息 IC Datasheet 数据表 (1/16 页)
按型号查询：
IS62WV51216BLL-55TLI
512K ×16低电压，超低功耗CMOS静态RAM
[512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
&&IS62WV51216BLL-55TLIPDF文件：
描述：&&512K ×16低电压，超低功耗CMOS静态RAM[512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]文件大小：&&129 KPDF页数：
&&16 页联系供应商：&& 品牌Logo:
&&&&ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
IS62WV51216BLL-55TLI&&
公司进口原装现货&
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IS62WV51216BLL-55TLI&
512K ×16低电压，超低功耗CMOS静态RAM [512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
IS62WV51216ALLIS62WV51216BLL512K ×16低电压，超低功耗CMOS静态RAMISSI2005年2月(R)特点o高速存取时间：为45nS ， 55nso CMOS低功耗运行- 36毫瓦（典型值）的操作- 12 μW （典型值） CMOS待机o TTL兼容接口电平o单电源供电– 1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL)– 2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL)o全静态操作：无时钟或刷新需要o三态输出o为上下字节的数据控制o工业应用温度o无铅可描述该ISSIIS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL是高速度， 8M位静态RAM由16组织为512K字位。它是使用制造ISSI的高性能CMOS技术。这再加上高度可靠的工艺创新的电路设计技术，产量高亮高性能和低功耗的器件。当CS1高（取消），或者当CS2为低（取消），或者当CS1为低时， CS2为高和两个LB和UB高，器件处于待机模式在该功率耗散可以被降低CMOS输入电平。易内存扩展，通过使用芯片使能提供和输出使能输入。该低电平有效写使能（WE）同时控制写入和读取的存储器。一数据字节允许最高字节（ UB ）和低位字节（LB）访问。该IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL包装在JEDEC标准的48引脚小型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）和44引脚TSOP （II型） 。功能框图A0-A18解码器512K ×16存储阵列VDDGNDI/O0-I/O7低字节I/O8-I/O15高字节I / O数据电路列I / OCS2CS1OEWEUBLB控制电路(C)2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本公布的信息及订货产品之前。集成的芯片解决方案，公司 -
-1-800-379-4774版本B02/24/051STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll） - STM32 - 意法半导体STM32/STM8技术社区
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STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
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我用STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll），现在遇到了只能写一次，能读出来显示，但是第二次就写不进了。如果断了电再写就可以，但还是只能写一次，代码是照战舰上写的，，，，，，求大神指点一下，急用
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
写不进去提示的是什么？
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
同楼上疑问？有什么错误提示？
先把软件更新到最新试试看
在线时间70 小时
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
http://www.stmcu.org/bbs/article_244_535442.html&&参考一些这个帖子
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回复:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
你确定电路没问题？你测量一下读写脚的电平是否到了要求
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
同义楼上观点.第一次读写没问题说明基本没有问题,建议仔细检查第二次读写的代码..:)
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
1、第二次就无法写入， 你要确认是无法写入，还是写入了无法读出。
这是两个问题。
2、建议把你的代码贴出来看看， 是写入地址就不准确还是代码本身就有问题。
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
既然你的代码是照战舰写的，你的接线图是不是和他的一样呢？如果一样，你可以看看他的手册，讲解的很清楚的，实在不行，就去问问原子大哥吧
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我也是遇到了同样的问题，原理图是按照原子的，程序也是按照他的，现在也只能测试写入一次，读出来一次，再次写入的时候就会重启，楼主的问题解决了吗？求教
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看看，，，，，，，，，，，，
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