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( X/ f3 L  T' `( |) \  k对于各项目的评估是基于代表性的特性进行的因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征另外,这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下, E( h# r, i6 a9

K双极晶体管(图中以NPN为例)由PN结组成,通过在基极流过电流而在集电极-发射极间流过电流。如前面的特征汇总表中所示关于驱动,需要根据与放大系数、集电极电流之间的关系来调整基极电流等与MOSFET显著不同的是,用于放大或导通/关断嘚偏置电流会流经晶体管(基极). B+ U# p6 X8 W另外,MOSFET中有称为“导通电阻”的参数尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数世界上最早的晶体管是双极晶体管,所以可能有人说表达顺序反了不过近年来,特别是电源电路中MOSFET是主流可能很哆人都是从MOSFET用起来的,因此这里以MOSFET为主下面言归正传。与双极晶体管的导通电阻相对应的是VCE(sat)这是集电极-发射极间的饱和电压。这是流過既定的集电极电流时即晶体管导通时的电压降,因此可通过该值求得导通时的电阻1

MOSFET(图中以Nch为例)通过给栅极施加电压在源极与漏極间创建通道来导通。另外栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘,因此不会流过 “导通”意义上的电流但是,需要被称为“Qg”的电荷+ e. \, A4 Q) H( Q) [2 e( {/ a4 o: \;

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基本上行货是最贵的一个是关稅高,走私过来的水货不交税一个是苹果公司的定价策略。不建议买欧版基本都有锁,解锁很麻烦包括以后升级需要重新解锁。保修肯定是没有的而且很多都是翻新机,不可靠
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