模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)
作者：KKW_0000
时间：2011-7-27 8:48:50
文件类别：
文件名称：
模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)
上传时间：2011-7-27 8:48:50
所需积分：10 【
下载次数：0
文件类型: WinRAR 压缩文件
文件大小: 15117.12 KB
文件描述：
书名:模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版) 作者:(美)Paul R.Gray Paul J.Hurst 出版社:高等教育出版社 出版日期:2005-6-1 简介:
本书为教育部高教司推荐国外优秀信息科学与技术系列教学用书之一。本书英文版第1版出版到现在已经有23年，期间模拟集成电路领域已经发展并成熟起来。本书第4版的翻译版,编写着重使教师更容易地讲解单纯的CMOS电路、单纯的双极电路、CMOS和双极结合在一起的电路，使学习者能更好地掌握两种电路的相似和不同处，在设计中使用更合适的电路。本书介绍模拟集成电路的分析与设计,全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新发展。全书共12章。前7章介绍了集成电路放大器件模型，双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术，单级及多级放大器，电流源和功率输出级，单端输出的运算放大器以及集成电路的频率响应，第8、9章介绍了放大电路的反馈，反馈放大器和频率响应的稳定性。第10章至12章介绍了非线性模拟电路，集成电路的噪声和全差分运算放大器。本书既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作为应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。
目录: 目录 第一章　集成电路放大器件模型 1.1 引言 1.2 结的耗尽区 1.2.1 势垒电容 1.2.2 结击穿 1.3 双极型晶体管的大信号特性 1.3.1 正向线性区的大信号模型 1.3.2 集电极电压对放大区大信号特性的影响 1.3.3 饱和区和反向线性区 1.3.4 晶体管击穿电压 1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益 1.4 双极型晶体管的小信号模型 1.4.1 跨导 1.4.2 基区寄生电容 1.4.3 输入电阻 1.4.4 输出电阻 1.4.5 双极型晶体管的基本小信号模型 1.4.6 集电极-基极电阻 1.4.7 小信号模型的寄生单元 1.4.8 晶体管频率响应特性 1.5 金属氧化物场效应晶体管的大信号特性 1.5.1 MOS管的转移特性 1.5.2 双极型晶体管和MOS晶体管工作区的比较 1.5.3 栅-源电压的*** 1.5.4 阈值的温度独立 1.5.5 MOS管电压限制 1.6 MOS晶体管的小信号模型 1.6.1 跨导 1.6.2 栅－源以及栅－漏间固有电容 1.6.3 输入电阻 1.6.4 输出电阻
1.6.5 MOS晶体管的基本小信号模型 1.6.6 体跨导 1.6.7 小信号模型的寄生单元
1.6.8 MOS晶体管的频率响应
1.7 MOS晶体管的短沟道效应
1.7.1 水平场中的速率饱和
1.7.2 跨导和特征频率 1.7.3 水平场中的迁移率下降
1.8 MOS晶体管中的亚反向 1.8.1 亚反向中的漏极电流 1.8.2 亚反向区中的跨导和特征频率 1.9 MOS晶体管中的衬底电流 A.1.1 有源器件参数列表 第二章　双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术 文件下载地址：
(若单击不能下载，请使用右键单击，选“目标另存为”,下载积分只扣一次)
下载说明：
1、下载前请您登陆本站，未注册用户请先
2、下载本站文档需扣除相应积分
3、你可以把你的好资料上传到本站赚取
4、你也可以采取充值的方式增加你的
5、请不要上传相同或垃圾资料，一旦发现，我们将冻结帐号
6、下载的资料全部为RAR压缩格式，
解压软件
7、下载的部分文件为PDF格式，
打开软件
常用下载工具
相关国标下载
版权所有
免费咨询***：400-633-9001 传真：010-51260143 邮　箱：a9001@126.com
认证群1：32703623
认证群2：34814624
资料群：64594877服务*** 4008859898
模拟集成电路设计工程师
南京智浦芯联电子科技有限公司
公司行业：
电子技术/半导体/集成电路
公司类型：
公司规模：
20-99人
职位类别：
电子/电气/半导体/仪器仪表
工作地点：
南京-玄武区 正在加载更多城市
发布日期：
2011-07-14
工作经验：
最低学历：
管理经验：
工作性质：
招聘人数：
职位描述/要求：
职位描述：
1、设计、开发、优化并评估产品：
2、参与新产品或者产品升级；
3、新的设计过程和方法的初期研究；
4、技术开发以及项目执行。 职位要求：
1、善于解决问题；
2、善于与同事及客户进行有效的沟通；
3、熟悉使用相关电脑软件，如HSPIRE,SPECTRE,ELDO,数据模拟，混合信号防真器，静态时序分析和测试向量生成；
4、熟悉使用Latout验证工具及调试技术；
5、具备数字RTL设计、逻辑综合知识，有半导体研发领域工作经验者优先。
联系方式：
公司名称：南京智浦芯联电子科技有限公司
公司地址：南京市玄武区玄武大道699号-22号江苏软件园徐庄国际研发区6号楼301
真：025-57921050
公司主页：
工作地点：
正在加载更多城市 [
南京智浦芯联电子科技有限公司 芯联半导体有限公司成立于2007年6月1日，是一家专业致力于集成电路芯片与系统设计开发及销售服务，并按照业界标准流程进行技术研发、产品经营和管理的高速成长型企业，也是首批入驻国家集成电路设计产业化南京基地的企业之一。 芯联半导体在研发过程中始终坚持以市场为导向，密切关注芯片市场的潜在需求，采用正向设计为主的技术路线，有创造性地开发各种通用型和专业型的新产品。目前公司在模拟方面如电源管理、功率LED照明驱动、锂电充电管理、音频功放等方面都有成功的开发经验。 目前，芯联半导体开发的20多款芯片已广泛应用于通信、家电、多媒体、办公自动化等领域，其性能、品质、价格及可靠性完全可以与国外产品媲美，产品销售遍及全国，并大量出口海外。芯联半导体计划未来以电源管理和LED照明为主要研发方向，加大研发力度，开发出更多适销的产品，成为能“引领未来生活”的集成电路龙头企业。 公司专注于模拟/混合集成电路的设计研发与销售，产品线包括数据转换、电源管理、通用模拟集成电路等方面。目前，公司的产品分布在DC-DC升压转换、降压转换、高性能LDO、大功率LDO、显示背光LED驱动、大功率LED驱动、电池充电管理等领域，广泛应用于便携式电子产品、家电产品、通讯终端、汽车电子等方面。 公司目前在南京设有设计中心，主要负责产品的设计及应用开发，其中研发人员曾在国内外著名IC设计公司任职，在业内具有很高的知名度。公司员工100%拥有本科以上学历，20%以上具有海外硕士和博士学历。
公司地址： 南京市玄武区玄武大道699号-22号江苏软件园徐庄国际研发区6号楼301 |
您对 Zhaopin.com 有任何建议或意见请
未经zhaopin.com 同意，不得转载本网站之所有招聘信息及作品
智联招聘网版权所有 1997-2011