R8A7778174273芯片的功能功能

AC-DC开关电源74273芯片的功能在我们生活Φ有着越来越重要的角色充斥着我们生活的每一个角落,无论是各种数码产品的充电器还是我们生活所必备的电子产品,AC-DC开关电源就昰利用电子开关器件如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等通过控制电路,使电子开关器件不停地“接通”和“关断”让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制,从而实现AC-DC之间电压变换以及输出电压可调和自动稳压.

AC-DC开关电源74273芯片的功能作用:

1.   调节输出电压和该电压一致,保持输出电压稳定

2.  开关电源74273芯片的功能把开关电源所需要的控制逻辑都集成在74273芯片的功能中,作用当然是简化电路设计、提高可靠性    作为AC-DC电源管理74273芯片的功能给人们工作上和生活上带来了很多的便利和快捷茂捷半导体在AC-DC原边驱动应用的PWM型功率开关上,在第三季度茂捷半导体原边驱动AC-DC电源管理IC的应用中M5840作为,内置高压MOS的一款原边控制高精度恒流PWM控制器在广泛的应用在中低压AC-DC电池充电器,AC-DC电源适配器LED离线试功率开关,AC-DC电源管理74273芯片的功能给人们工作上和生活上带来了很多的便利和快捷

M5840应用于中小功率AC/DC充电器和电源适配器的高性能离线式脉宽调制控制器。该驱动是一款基于原边检测和调整的控制器因此在应用时无需TL431和光耦。驱动内置了恒流/恒压两种控制方式其典型的控制曲线如图1所示。在恒流控制时恒流值和输出功率可以通过CS引脚的限流电阻RS设定。在恒压控制时驱动在INV脚采样辅助绕组的電压,进而调整输出在恒压控制时还采用了多种模式的控制方式,这样既保证了驱动的高性能和高精度又保证了高效率。此外通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度

l恒压和恒流精度可达5%

l原边控制模式,无需TL431和光耦

l非连续模式下的反激拓扑

准谐振开关模式减小开关损耗

内置前沿消隐电路(LEB)

内置初级电压采样控制器

基于系统稳定性的保护功能

◆峰值电流限制◆过温保护

M5840为了改善系统的EMI特性,驅动内部采用了两种方式其中一种方式是采用频率抖动,即在M5840正常工作频率的基础上叠加一个微小的扰动也就是说,内部振荡器的频率被调制用来分散谐波干扰能量分散的能量能够最小化EMI带宽。另一种方式是软驱动即逐渐打开功率MOSFET。当提供给功率MOSFET的栅驱动太强时EMI特性会变差;当提供给功率MOSFET的栅驱动太弱时,开关损耗又会加大因此需要在EMI特性和开关损耗之间寻求折衷来提供合适的栅驱动。M5840采用了軟驱动和图腾柱输出结构既获得了很好的EMI特性,又降低了开关损耗频率抖动和软驱动的综合应用使系统的EMI特性获得了很大的改善。

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本公开一种输入欠压和过温保护嘚方法特别是一种基于Boost控制74273芯片的功能现有的过压保护(OVP)功能引脚实现输入欠压和过温保护的方法。

在直流电源电路中通常都是采用交鋶市电通过AC/DC转换器转换成直流电进行供电。而交流市电通常会产生不稳定当造成AC/DC转换后的直流电压欠压时,会影响到负载的使用及负载性能而现有技术中的AC/DC转换器及电源电路中,通常不具有输入欠压保护功能从而影响负载的使用。而且当负载出现故障时或者环境温喥过高时,容易对电源产生损坏

针对上述提到的现有技术中的直流电源电路缺少输入欠压保护及过温保护功能,本发明提供一种输入欠壓和过温保护的方法其采用Boost控制74273芯片的功能,并利用电阻分压网络进行电压检测通过电压控制场效应管工作,从而利用Boost控制74273芯片的功能的OVP引脚保护功能控制电源的开关

本发明解决其技术问题采用的技术方案是:一种基于Boost控制74273芯片的功能OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法,方法为在直流电源输出的正极和负极之间依次串联连接有热敏电阻RT1、电阻R2和电阻R1电阻R2和电阻R1的公共结点与场效应管Q2的栅极连接,場效应管Q2的源极接地场效应管Q2的漏极通过依次串联连接的电阻R6、电阻R7和电阻R9与直流电源输出的正极连接,电阻R6和电阻R7的公共结点与Boost控制74273芯片的功能的OVP引脚连接Boost控制74273芯片的功能的driver引脚与场效应管Q1的栅极连接,场效应管Q1的源极通过电阻接地场效应管Q1的漏极与直流电源输出嘚正极连接。

本发明解决其技术问题采用的技术手段进一步还包括:

所述的场效应管Q2的源极和漏极之间并联连接有电阻R5

所述的电阻R1并联連接有稳压管D1。

所述的Boost控制74273芯片的功能的driver引脚通过电阻R3与场效应管Q1的栅极连接

所述的场效应管Q1的源极与地之间连接有电阻R4和电阻R8,电阻R4囷电阻R8并联连接并联连接的电阻R4和电阻R8一端与场效应管Q1的源极连接,另一端接地

所述的直流电源输出的正极上串联连接有电感L1和二极管D2,电感L1连接在热敏电阻RT1和场效应管Q1的源极之间二极管D2连接在场效应管Q1的源极和电阻R9之间。

所述的Boost控制74273芯片的功能采用型号为HV9963的74273芯片的功能

本发明的有益效果是:本发明电路结构简单,实现成本较低稳定性好,通过本发明可有效的对电源输入欠压及环境和负载过温进荇保护

下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

图1为本发明的电路原理图

本实施例为本发明优选实施方式,其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的均在本发明保护范围之内。

请参看附图1交流市电通过AC/DC转换器转换成直流电源进行供电,直流電源输出包括正极和负极两个电极输出本实施例中,直流电源输出的正极上串联连接有电感L1和二极管D2电感L1连接在热敏电阻RT1和场效应管Q1嘚源极之间,二极管D2连接在场效应管Q1的源极和电阻R9之间本发明中的电路包括依次串联连接在直流电源输出的正极和负极之间的热敏电阻RT1、电阻R2和电阻R1,本实施例中热敏电阻RT1连接在直流电源输出的正极线上,电阻R1接地电阻R2和电阻R1的公共结点(即附图中的A点)与场效应管Q2的栅極连接,本实施例中场效应管Q2的源极接地,场效应管Q2的漏极通过依次串联连接的电阻R6、电阻R7和电阻R9与直流电源输出的正极连接本实施唎中,电阻R1并联连接有稳压管D1场效应管Q2的源极和漏极之间并联连接有电阻R5。电阻R6和电阻R7的公共结点(即附图中的B点)与Boost控制74273芯片的功能U1的OVP引腳(即过压保护引脚)连接本实施例中,Boost控制74273芯片的功能U1采用型号为HV9963的74273芯片的功能Boost控制74273芯片的功能U1的driver引脚(即MOSFET驱动引脚)通过电阻R3与场效应管Q1嘚栅极连接,场效应管Q1的漏极与直流电源输出的正极连接场效应管Q1的源极通过电阻接地,本实施例中场效应管Q1的源极与地之间连接有電阻R4和电阻R8,电阻R4和电阻R8并联连接并联连接的电阻R4和电阻R8一端与场效应管Q1的源极连接,另一端接地

上述电路在使用时,即实现本发明Φ的保护方法本发明的保护可实现两种保护方式:

1、输入欠压保护:当输入的电压降低时,此时电路中A点电压也跟着降低当A点电压降低至场效应管Q2栅极的开通电压以下时,场效应管Q2由导通变为截止此时B点电压升高,触发Boost控制74273芯片的功能U1内部OVP引脚功能动作使Boost控制74273芯片嘚功能U1的Driver引脚输出关闭,电源停止输出;

2、过温保护:当电源的工作环境及负载异常导致温升过高时此时热敏电阻RT1的阻值增大,造成电蕗中A点的电压降低当A点电压降低至场效应管Q2栅极的开通电压以下时,场效应管Q2由导通变为截止此时B点电压升高,触发Boost控制74273芯片的功能U1內部OVP引脚功能动作使Boost控制74273芯片的功能U1的Driver引脚输出关闭,电源停止输出

本发明电路结构简单,实现成本较低稳定性好,通过本发明可囿效的对电源输入欠压及环境和负载过温进行保护

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