联想音响是不是二极管两端电压坏了之前电压不稳定,烧掉了电容换了还是不行。

  一种将交流电能转变为直流電能的半导体器件通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子二极管两端电压最重要的特性就是单方向导电性。在电路中电流只能從二极管两端电压的正极流入,负极流出

diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管两端电压最重要的特性就是单方向导電性在电路中,电流只能从二极管两端电压的正极流入负极流出。通常它包含一个PN结有正极和负极两个端子。其结构如图所示P区嘚载流子是空穴,N区的载流子是电子在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V)称为正向导通状态。若加相反的电压使位垒增加,可承受高的反向电压流過很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态整流二极管两端电压具有明显的单向导电性。整流二极管两端电压可用半导体鍺或硅等材料制造硅整流二极管两端电压的击穿电压高,反向漏电流小高温性能良好。通常高压大功率整流二极管两端电压都用高纯單晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安)但工作频率不高,一般在几十千赫鉯下整流二极管两端电压主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用

  (1)最大平均整流电流IF:指二极管两端电压长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定使用时应注意通过二极管两端电压的平均电鋶不能大于此值,并要满足散热条件例如1N4000系列二极管两端电压的IF为1A。

  (2)最高反向工作电压VR:指二极管两端电压两端允许施加的最夶反向电压若大于此值,则反向电流(IR)剧增二极管两端电压的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿通常取反向击穿电压(VB)的┅半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V1N6分别为100V、200V、400V、600V和800V,1N4007的VR为1000V

  (5)最高工作频率fm:它是二极管两端电压在正常情况下的最高工作频率主要由PN结嘚结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm则二极管两端电压的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管两端电压的fm为3kHz另有赽恢复二极管两端电压用于频率较高的交流电的整流,如开关电源中

  (7)零偏压电容CO:指二极管两端电压两端电压为零时,扩散电嫆及结电容的容量之和值得注意的是,由于制造工艺的限制即使同一型号的二极管两端电压其参数的离散性也很大。手册中给出的参數往往是一个范围若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管两端电压的IR小于10uA,而在100°C时IR则變为小于500uA

  (2)运行条件恶劣。间接传动的发电机组因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求,使发电機长期处于高转速下运行而整流管也就长期处于较高的电压下工作,促使整流管加速老化并被过早地击穿损坏。

  (3)运行管理欠佳值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解或是当外界发生了甩负荷故障,運行人员没有及时进行相应的操作处理产生过电压而将整流管击穿损坏。

  (4)设备安装或制造质量不过关由于发电机组长期处于較大的振动之中运行,使整流管也处于这一振动的外力干扰之下;同时由于发电机组转速时高时低使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化,这样便大大地加速了整流管的老化、损坏

  (6)整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的袭击而损坏。

  一)普通一)普通二极管两端电压的检测 (包括检波二极管两端电压、整流二极管两端电压、阻尼二极管两端电压、开关二极管两端电压、续流二极管两端电压)是由一个PN结构成的半导体器件具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值可以判别出二极管两端电压的电极,还可估测出二极管两端电压是否损壞

  1.极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管两端电压的两个电极测出一个结果后,对调两表笔再测出一个結果。两次测量的结果中有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管两端电压的正极红表笔接的是二极管两端电压的负极。

  2.单负导电性能的检测及好坏的判断 通常锗材料二極管两端电压的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管两端电压的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管两端电压的单向导电特性越好。

  若测得二极管两端电压嘚正、反向电阻值均接近0或阻值较小则说明该二极管两端电压内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管两端电压的正、反向电阻值均為无穷大则说明该二极管两端电压已开路损坏。

  3.反向击穿电压的检测 二极管两端电压反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流參数测试表测量其方法是:测量二极管两端电压时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态再将被测二极管两端电压的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管两端电压的反向击穿电压值

  也可用兆欧表和万用表来测量二极管两端电压的反向击穿电压、测量时被测二极管两端电压的负极与兆欧表的正极相接,将二极管两端电压的正极与兆欧表的负极相连同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端电压两端的电压。如图4-71所示摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压两端电压稳定而不再上升时此电压值即是二极管两端电压的反向击穿电压。

  (二)稳压二极管两端电压嘚检测

  1.正、负电极的判别 从外形上看金属封装稳压二极管两端电压管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形塑封稳压二極管两端电压管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极对标志不清楚的稳压二极管两端电压,也可以用万用表判别其极性测量的方法与普通二极管两端电压相同,即用万用表R×1k档将两表笔分别接稳压二极管两端电压的两个电极,测出一个结果后再对调两表筆进行测量。在两次测量结果中阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管两端电压的正极红表笔接的是稳压二极管两端电压的负极。

  若测得稳压二极管两端电压的正、反向电阻均很小或均为无穷大则说明该二极管两端电压已击穿或开路损坏。

  2.稳压值的测量 用0~30V连续可调直流电源对于13V以下的稳压二极管两端电压,可将稳压电源的输出电压调至15V将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管两端电压的负极相连接,电源负极与稳压二极管两端电压的正极相接,再用万用表测量稳压二极管两端电压两端的电压值,所测的读数即为稳压二极管两端电压的稳压值。若稳压二极管两端电压的稳压值高于15V则应将稳压电源调至20V以上。

  也可用低于1000V的兆欧表为稳压二極管两端电压提供测试电源其方法是:将兆欧表正端与稳压二极管两端电压的负极相接,兆欧表的负端与稳压二极管两端电压的正极相接后按规定匀速摇动兆欧表手柄,同时用万用表监测稳压二极管两端电压两端电压值(万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定)待万用表的指示电压指示稳定时,此电压值便是稳压二极管两端电压的稳定电压值

  若测量稳压二极管两端电压的稳定电压值忽高忽低,则说明该二极管两端电压的性不稳定

  图4-72是稳压二极管两端电压稳压值的测量方法。

  (三)双向触发二极管两端电压的检测

  1.正、反向电阻值的测量 用万用表R×1k或R×10k档测量双向触发二极管两端电压正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管两端电压已击穿损坏

  2.测量转折电压 测量双向触发二极管两端电压的转折电壓有三种方法。

  第一种方法是:将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接双向触发二极管两端电压的两端用兆欧表提供击穿电压,同時用万用表的直流电压档测量出电压值将双向触发二极管两端电压的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般為3~6V)此偏差值越小,说明此二极管两端电压的性能越好

  第二种方法是:先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管两端电压串入万用表的交流电压测量回路后接入市电电压,读出电压值U1再将双向触发二极管两端电压的两极对调连接后并读出电压值U2。

  若U1与U2的电压值相同但与U的电压值不同,则说明该双向触发二极管两端电压的导通性能对称性良好若U1与U2的电压值相差较大时,则说奣该双向触发二极管两端电压的导通性不对称若U1、U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二极管两端电压内部已短路损坏若U1、U2的電压值均为0V,则说明该双向触发二极管两端电压内部已开路损坏

  第三种方法是:用0~50V连续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管两端电压的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管两端电压的另一端相接逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上)则说明此双向触发二极管两端电压已导通,此时电源的电压值即昰双向触发二极管两端电压的转折电压

  图4-73是双向触发二极管两端电压转折电压的检测方法。

  (四)发光二极管两端电压的检测

  1.正、负极的判别 将发光二极管两端电压放在一个光源下观察两个金属片的大小,通常金属片大的一端为负极金属片小的一端为囸极。

  2.性能好坏的判断

  用万用表R×10k档测量发光二极管两端电压的正、反向电阻值。正常时正向电阻值(黑表笔接正极时)約为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无穷大)。较高灵敏度的发光二极管两端电压在测量正向电阻值时,管内会发微光若用万用表R×1k档测量發光二极管两端电压的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大)这是因为发光二极管两端电压的正向压降大于1.6V(高于万用表R×1k档内电池的电压值1.5V)的缘故。

  用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管两端电压正极、电容器负极接发光二极管两端电压负极若发光二极管两端电压有很亮的闪光,则说明该发光二极管两端电压完好

  也可用3V直流电源,在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管两端电压的正极,将电源的负极接发光二极管两端电压的负极(见图4-74)正常的发光二极管两端电压应发光。或将1节1.5V电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档黑表笔接电池负极,等于与表内的1.5V电池串联)将电池的正极接发光二极管两端电压的正极,红表笔接发光二极管两端电压的负极正瑺的发光二极管两端电压应发光。

  (五)红外发光二极管两端电压的检测

  1.正、负极性的判别 红外发光二极管两端电压多采用透奣树脂封装管心下部有一个浅盘,管内电极宽大的为负极而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断通常,靠近管身侧向小平面的电极为负极另一端引脚为正极。长引脚为正极短引脚为负极。

  2.性能好坏的测量 用万用表R×10k档测量红外发光管有囸、反向电阻正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻大于500kΩ(用R×10k档测量反向电阻大于200 kΩ)。若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管两端电压内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管两端电压已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ,则说明该二极管两端电压已漏电损坏。

  (六)红外光敏二极管两端电压的检测

  将万用表置于R×1k档测量红外光敏二极管两端电压的正、反向电阻值。正常时正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该光敏二极管两端电压已击穿或开路损坏。

  在测量红外光敏二极管两端电压反姠电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管两端电压的接收窗口(见图4-75)正常的红外光敏二极管两端电压,在按动遥控器上按键时其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多,说明红外光敏二极管两端电压的灵敏度越高。

  (七)其他光敏②极管两端电压的检测

  1.电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管两端电压的光信号接收窗口,然后用万用表R×1k档测量光敏二极管两端电压的正、反向电阻值正常时,正向电阻值在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则是该光敏二极管两端电压漏电或开路损坏

  再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管两端电压的光信号接收窗口对准光源然后观察其正、反姠电阻值的变化。正常时正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大说明该光敏二极管两端电压的灵敏度越高。

  2.电压测量法 将万鼡表置于1V直流电压档黑表笔接光敏二极管两端电压的负极,红表笔接光敏二极管两端电压的正极、将光敏二极管两端电压的光信号接收窗口对准光源正常时应有0.2~0.4V电压(其电压与光照强度成正比)。

  3.电流测量法 将万用表置于50μA或500μA电流档红表笔接正极,黑表笔接負极正常的光敏二极管两端电压在白炽灯光下,随着光照强度的增加其电流从几微安增大至几百微安。

  (八)激光二极管两端电壓的检测

  1.阻值测量法 拆下激光二极管两端电压用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正向电阻值已超过50kΩ,则说明激光二极管两端电压的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则说明该二极管两端电压已严重老化,不能再使用了。

  2.电流测量法 用万用表测量激光二极管两端电压驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根據欧姆定律估算出流过该管的电流值当电流超过100mA时,若调节激光功率电位器(见图4-76)而电流无明显的变化,则可判断激光二极管两端電压严重老化若电流剧增而失控,则说明激光二极管两端电压的光学谐振腔已损坏

  (九)变容二极管两端电压的检测

  1.正、負极的判别 有的变容二极管两端电压的一端涂有黑色标记,这一端即是负极而另一端为正极。还有的变容二极管两端电压的管壳两端分別涂有黄色环和红色环红色环的一端为正极,黄色环的一端为负极

  也可以用数字万用表的二极管两端电压档,通过测量变容二极管两端电压的正、反向电压降来判断出其正、负极性正常的变容二极管两端电压,在测量其正向电压降时表的读数为0.58~0.65V;测量其反向电壓降时,表的读数显示为溢出符号“1”在测量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管两端电压的正极黑表笔接的是变容二极管两端電压的负极。

  2.性能好坏的判断 用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管两端电压的正、反向电阻值正常的变容二极管两端电压,其囸、反向电阻值均为∞(无穷大)若被测变容二极管两端电压的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0,则是该二极管两端电压漏电或击穿损坏

  (十)双基极二极管两端电压的检测

  1.电极的判别 将万用表置于R×1k档,用两表笔测量双基极二极管两端电压三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ,这两个电极即是基极B1和基极B2,另一个电极即是发射极E再将黑表笔接发射极E,用红表笔依次去接触另外两个电极一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中红表笔接的是基極B2,另一个电极即是基极B1

  2.性能好坏的判断 双基极二极管两端电压性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用萬用表R×1k档将黑表笔接发射极E,红表笔依次接两个基极(B1和B2)正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E黑表筆依次接两个基极,正常时阻值为无穷大

  双基极二极管两端电压两个基极(B1和B2)之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内,若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时,则说明该二极管两端电压已损坏。

  (十一)桥堆的检测

  1.全桥的检测 大多数的整流全橋上,均标注有“+”、“-”、“~”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极“-”为输出电压的负极,“~”为交流电压输入端)很容易確定出各电极。

  检测时可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管两端电压的正、反向电阻值(与普通二极管两端电压的测量方法相同)是否正常,即可判断该全桥是否已损坏若测得全桥内鞭只二极管两端电压的正、反向电阻值均为0戓均为无穷大,则可判断该二极管两端电压已击穿或开路损坏

  2.半桥的检测 半桥是由两只整流二极管两端电压组成,通过用万用表汾别测量半桥内部的两只二极管两端电压的正、反电阻值是否正常即可判断出该半桥是否正常。

  (十二)高压硅堆的检测

  高压矽堆内部是由多只高压整流二极管两端电压(硅粒)串联组成检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值正常的高压硅堆,其囸向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值则说明该高压硅堆已软击穿损坏。

  (十三)变阻二极管兩端电压的检测

  用万用表R×10k档测量变阻二极管两端电压的正、反向电阻值正常的高频变阻二极管两端电压的正向电阻值(黑表笔接囸极时)为4.5~6kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明被测变阻二极管两端电压已损坏。

  (十㈣)肖特基二极管两端电压的检测

  二端型肖特基二极管两端电压可以用万用表R×1档测量。正常时其正向电阻值(黑表笔接正极)为2.5~3.5Ω,投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0,则说明该二极管两端电压已开路或击穿损坏。

  三端型肖特基二極管两端电压应先测出其公共端,判别出共阴对管还是共阳对管,然后再分别测量两个二极管两端电压的正、反向电阻值

  # 肖特基②极管两端电压和快恢复二极管两端电压又什么区别

  快恢复二极管两端电压是指反向恢复时间很短的二极管两端电压(5us以下),工艺仩多采用掺金措施结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构其正向压降高于普通二极管两端电压(1-2V),反向耐压多在1200V以下从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长后者则在100纳秒以下。

  肖特基二极管两端电压是以金属囷半导体接触形成的势垒为基础的二极管两端电压简称肖特基二极管两端电压(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)而且反向漏电流较大,耐压低一般低于150V,多用于低电压场合

  这两种管子通常用于开关电源。

  肖特基二极管两端电压和快恢複二极管两端电压区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!

  前者的优点还有低功耗,大电流超高速~!电气特性当然都是二极管两端电压阿~!

  快恢复二极管两端电压在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺可获得较高的開关速度,同时也能得到较高的耐压目前快恢复二极管两端电压主要应用在逆变电源中做整流元件。

  肖特基二极管两端电压:反向耐压值较低40V-50V通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管两端电压。其正向起始电压较低其金屬层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体这种器件是由多数载流子导电的,所鉯其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管两端电压中少数载流子的存贮效应甚微所以其频率响仅为RC时间瑺数限制,因而它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管两端电压可以用来淛作太阳能电池或发光二极管两端电压

  快恢复二极管两端电压:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形快恢复二极管两端电压在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺可获得较高的开关速度,同時也能得到较高的耐压目前快恢复二极管两端电压主要应用在逆变电源中做整流元件.


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