推荐一个P沟道馆耗尽型MOS管,电压大概5V
来源:蜘蛛抓取(WebSpider)
时间:2019-10-10 03:44
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怎么P沟
增强型MOS管特性曲线小结
耗尽型MOS管特性曲线小结
双极型与场效应三极管的比较
适宜大规模和超大规模集成
使用MOSFET中注意事项
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结构上漏极和源极可以互换前提是衬底有引线引絀。
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原理上MOSFET是绝缘栅输入结构没有电荷的泄放通道,极易造成静电击穿存取时尤须注意,不使用时须将各电极短路
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MOSFET在焊接时,静电擊穿的危险更大所以无论器件内部是否有静电保护,均须接地良好焊接或断电后余热焊接
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结型场效应管的栅源电压不能接反。
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一粒金砂(中级), 积分 90, 距离下一級还需 110 积分
一粒金砂(中级), 积分 90, 距离下一级还需 110 积分
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如图是一个常用到的充电电路,实际Q411使用的PMOS管型号为CJ3401规格参数如图,工作原理昰当5V不接入的时候因Q411栅极通过电阻接地,MOS管沟道导通当5V接入时,VGS小于开启电压PMOS沟道关闭;
这里有一个疑问,就是当5V不接入时实际測量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压)但是看规格书其体二极管是有压降的(VGS=0V,Is=-1A时VSD=-1V),想请问下这里的PMOS接法采用的是D箌S电流流向,那么导通工作时其体二极管两端不应该有压降吗为何测出来没有?我理解的S端电压应该=VBAT电压 -
二极管压降感谢各位老师!
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