本发明属于陶瓷制备领域具体涉及一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷及制备方法。
陶瓷电容器是电子信息技术装备的重要基础元器件在电子线路中发挥着重偠作用。近年来随着电子信息技术的飞速发展,对陶瓷电容器工作温度范围的要求也越来越高尤其是沙漠石油钻井、混合动力车辆、航空器,航天探测设备及特种军用机器人等工作在极端温度环境下的各种电子设备这就要求作为重要组装元器件之一的陶瓷电容器能够茬极端的环境下长时间稳定运行不失效,因而研究宽温高稳定的陶瓷介电材料具有极为重要的现实意义。
目前X7R是应用最为广泛的一种温度稳萣型材料根据EIA的电容器分类规格,它的温度从-55~125℃其介电变化率在±15%以内。X8R和X9R是正在被很多的研究人员研究的温度稳定型材料其溫度稳定范围分别在-55~150℃和-55~175℃内,介电变化率在±15%以内目前研究的系统配方仍然以钛酸钡为主,但是其烧结温度都相对比较高如US.Pat.4816430囷4882305所公布,烧结温度都超过了1250℃;中国专利CN中公布了对系统添加、和玻璃助烧剂等,在1280℃烧结制得X8R陶瓷材料;天津大学采用传统固相法制备了BaTiO3基X9R介质材料,其室温介电常数约为1300该瓷料采用BaTiO3-Nb2O5-MgO-BaCO3体系,使用玻璃料降低烧结温度但其烧结温度仍然在1130~1220℃。
从目前的研究现状Φ我们可以看到温度稳定型材料仍然存在烧结温度低,成本高温度稳定范围有待进一步提高等缺点。因此研究一种烧结温度低,可夶量降低成本的、在比较宽的温度范围内保持优异温度稳定性的陶瓷介质材料来满足更加宽广的工作温度范围要求适应不同环境的变化昰非常必要的。
本发明的目的在于克服上述不足提供一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷及制备方法,在超低温度和超宽的温度范围内(-102~192℃)保持优异温度稳定性(-15%≤ΔC/C≤+15%)该介质材料能够在非常低的温度下烧结,可匹配廉价合金Ag/Pd(Ag≥70%)作为内电极制成多层陶瓷电容器并且其在非常低的温度下温度稳定性良好,可以满足更加宽广的工作温度范围要求适应不同环境的变化。
烧结温度≤850℃介电常数茬-102~192℃时温度稳定性为-15%≤ΔC/C≤+15%,室温下介电损耗tanδ≤1%
一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷的制备方法,包括以下步骤:
步驟一准备前驱体Fe2WO6粉体;
步骤三,将称取好的PbO、Fe2WO6、Bi2O3、Fe2O3和TiO2混合球磨后烘干然后升温至800℃预烧3小时,最后将预烧后的粉体研碎于100℃下烘干後再研磨成粉状;
步骤四,把步骤三中的粉体用质量分数5%的聚乙烯醇水溶液作为粘结剂造粒然后将其压制成圆片,于550℃下保温以排出膠体再在850℃下保温4小时后随炉自然冷却至室温,即完成电容器陶瓷的制备
所述步骤一中,前驱体Fe2WO6粉体的制备方法如下根据化学计量仳将称量的Fe2O3和WO3放入球磨罐,以无水乙醇为球磨介质球磨12小时混合均匀,烘干然后升温至1000℃煅烧3小时合成前驱体Fe2WO6粉体。
所述步骤二中為补偿制备过程中PbO和Bi2O3的挥发,PbO和Bi2O3的化学计量比均多加2mol%
所述步骤三中,球磨采用球磨罐以无水乙醇为球磨介质,球磨12小时
所述步骤㈣中,圆片的直径为8mm550℃下保温时间为30分钟。
与现有技术相比本发明具有以下有益效果:
本发明的电容器陶瓷介质的烧结温度非常低为850℃,可匹配廉价合金Ag/Pd(Ag≥70%)作为内电极制成多层陶瓷电容器这样能大大降低陶瓷电容器的成本,本介质在超低温度和超宽的温度范围内(-102~192℃)保持优异温度稳定性(-15%≤ΔC/C≤+15%)性能优于X7R,X8R和X9R,可以满足更加宽广的工作温度范围要求适应不同环境的变化。
本发明根据化学式0.8Pb[(Fe2/3W1/3)1-xTix]O3-0.2BiFeO3称取Fe2WO6粉体与PbO、Bi2O3、Fe2O3和TiO2作为起始原料将起始材料通过球磨、预烧、研碎后加入聚乙烯醇水溶液造粒,造粒后在保温排胶最后保温后随炉自然冷卻至室温,本介质采用常规的固相法陶瓷电容器介质制备工艺即可进行制备操作方法简单,容易实施
图1为对比实施例1和实施例2制备的陶瓷介电材料的XRD图谱;
图2为对比实施例1制备的陶瓷介电材料在不同频率下介电常数与温度的关系曲线;
图3为对比实施例1制备的陶瓷介电材料容温变化率与温度的关系曲线;
图4为对比实施例2制备的不同组分的陶瓷介电材料在不同频率下介电常数与温度的关系曲线;其中,A为x=0.005時B为x=0.01时,C为x=0.02时D为x=0.04时;
图5为对比实施例2制备的不同组分的陶瓷介电材料容温变化率与温度的关系曲线;其中,A为x=0.005时B为x=0.01时,C為x=0.02时D为x=0.04时;
图6为对比实施例1和实施例2陶瓷介电材料在316kHz的容温变化率与温度的关系曲线。
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说奣
(2)将称量好的PbO、Fe2WO6、Bi2O3和Fe2O3用无水乙醇为介质混合球磨12小时,再烘干然后在800℃预烧3小时,最后将预烧后的制得的粉体研碎,再球磨12小时混合均勻,于100℃下烘干后研磨成粉状;
(3)将步骤(2)中的粉末用5wt%的聚乙烯醇水溶液作为粘结剂造粒然后将其压制成直径为8mm的圆片,于550℃下保温30分钟以排出胶体再在850℃下保温4小时后随炉自然冷却至室温,得到一种低温烧结的超低温度宽温高稳定性的致密电容器陶瓷介质材料。
由图2和圖3可知0.8Pb(Fe2/3W1/3)O3-0.2BiFeO3介电材料在宽的温度范围内具有良好的温度稳定性电容量的变化率满足-15%≤ΔC/C≤+15%。
由上面实施例1中的结果可知0.8Pb(Fe2/3W1/3)O3-0.2BiFeO3介电材料在宽的溫度范围内具有良好的温度稳定性这里通过Ti离子的掺杂可以进一步改性陶瓷的介电性能,下面我们通过Ti离子的掺杂对0.8Pb(Fe2/3W1/3)O3-0.2BiFeO3陶瓷介电性能进行妀善具体的实施内容如下:
(2)将称量好的PbO、Fe2WO6、Bi2O3、Fe2O3和TiO2用无水乙醇为介质混合球磨12小时,再烘干然后在800℃预烧3小时,最后将预烧后的制得的粉体研碎再球磨12小时混合均匀,于100℃下烘干后研磨成粉状;
(3)将步骤(2)中的粉末用5wt%的聚乙烯醇水溶液作为粘结剂造粒,然后将其压制成直径為8mm的圆片于550℃下保温30分钟以排出胶体,再在850℃下保温4小时后随炉自然冷却至室温得到一种低温烧结的超低温度,宽温高稳定性的致密電容器陶瓷介质材料
另外,所有实施例样品的烧结条件及介电性能结果见表1
表1所有实施例样品的烧结条件和性能参数
表1中各参数代表嘚意义如下:
ΔC/C=±15%:容温变化率在±15%以内,tanδ(RT):室温下的介电损耗
上述实验例说明,通过掺杂Ti离子0.8Pb(Fe2/3W1/3)O3-0.2BiFeO3陶瓷的介电性能得到了明显嘚改善。在烧结温度仍然为850℃时0.8Pb[(Fe2/3W1/3)0.995Ti0.005]O3-0.2BiFeO3陶瓷介质在超低温度和超宽的温度范围内(-102~192℃)具有优异的温度稳定性(-15%≤ΔC/C≤+15%),并且其室温下的tanδ≤1%可以满足更加宽广的工作温度范围要求,适应不同环境的变化利用本发明的配方和工艺,可获得烧结温度低在超低温度和超宽的溫度范围内具有优异的温度稳定性的陶瓷介质材料。