当前位置： >>
导电高分子材料在电磁屏蔽的效能分析
第 ２ 卷 第６ １ 期　Ｖ０＿ 　 ． 　 ｌ２１Ｎｏ ６钦州学院学报　２０ ０ ６年 １ 　 ２月Ｄ ｃ ，２ ０ 　 ｅ ． ０６Ｊ ＲＮ Ｌ　 　 Ｉ Ｚ Ｏ
Ｕ Ａ ＯＦ Ｑ Ｎ ＨＯＵ Ｕ Ｖ Ｒ Ｉ Ｙ 　 ＮＩ Ｅ ＳＴ 　导 电 高 分 子 材 料　 在 电 磁 屏 蔽 的 效 能 分 析　梁 韶 华　（ 钦州 学院 物理与 电子工程 系 ，广 西 钦州 ５ ５０ ） ３０ ０　［ 摘要］ 导电高分子材料在 电磁屏蔽领域 有着广 阔的应用前景． 结构及制备 方法不 同， 　 按 可将 导电高　分子材料分 为本征 型与复合 型两大类． 导电填料高分 子基体和 复合工艺是影响导 电高分子材料 电磁效 能的重　要 因素． 　［ 关键词］ 电磁屏蔽； 　 导电高分子复合材料； 屏蔽效能 　［ 中图分类号］Ｔ ３７ Ｑ１ 　 ［ 文献标识码 ］Ａ 　 ［ 文章编号 ］１７ ― ３４ ２０ ）６ ０５ ― ５ ６３ ８ １（０６ ０ ― ０４ ０　近 年 来 ， 着 科 学 技 术 和 电 子 工 业 的 高 速 发　 随 展 ， 种数字 化 、 频化 的 电子 电器设 备在 工作 时　 各 高 向空 间辐射 了 大量 不 同波 长 和 频率 的 电磁 波 ， 　 从 而 导 致 新 环 境 污 染 ― ― 电 磁 波 干 扰 （ ｌｃｒｍａ － Ｅｅｔ ｏ ｇ　 ｎ ｔ 　ｎｅｆｒｎ ｅ， ＭＩ 和 放 射 频 率 干 扰 （ ｄｏ― ｅｉ Ｉ ｔｒ ｅ ｃ Ｅ ） ｃ ｅ Ｒａ ｉ 　 Ｆｅ ｕ ｎ ｙＩ ｔｒｅｅ ｃ ， Ｉ ． 此 同 时 ， 子 元 器 　 ｒｑ ｅ ｃ　ｎｅｆｒｎ ｅ ＲＦ ） 与 电 件 也 正 向着 小 型 化 、 量 化 、 字 化 和 高 密 度 集 成　 轻 数 化 方 向 发 展 ， 敏 度 越 来 越 高 ， 容 易 受 到 外 界 电　 灵 很 磁 波 干 扰 而 出 现 误 动 、 像 障 碍 等 ． 磁 辐 射 产 生　 图 电 的 电磁 干 扰 不 仅 影 响 到 电 子 产 品 的 性 能 实 现 ， 而　 且 由此 而 引 起 的 电 磁 污 染 会 对 人 类 和 其 它 生 物 体 　 造 成 严 重 的 伤 害 ． 解 决 电 磁 波 辐 射 造 成 的 干 扰　 为 和 泄 漏 ， 要 采 用 电 磁 屏 蔽 材 料 进 行 屏 蔽 ， 现 电　 主 实 子 电 器 设 备 与 环 境 相 调 和 ， 共 存 的 电 磁 兼 容 环　 相境 （ ｌｃｒ Ｅｅｔ ｏ―ｍａ ｎ ｔ 　 ｏ ａｉｉｔ ） …　 ｇ ｅｉ Ｃ ｍｐ ｔ ｌｙ ． ｃ ｂｉ１ 　电磁 屏 蔽 原 理 　电磁 屏 蔽 主 要 用 来 防 止 高 频 电 磁 场 的 影 响 ， 　从 而 有 效 地 控 制 电 磁 波 从 某 一 区域 向 另 一 区 域 进　 行 辐 射 传 播 ． 基 本 原 理 是 ： 用 低 电 阻 值 的 导 电　 其 采材料 ， 并利 用 电磁 波 在屏 蔽 导 体 表 面 的 反射 和 在　导 体 内部 的 吸 收 ， 及 传 输 过 程 的 损 耗 而 产 生 屏　 以蔽 作 用 ， 常 用 效 能 （ Ｅ） 示 ． 谓 屏 蔽 效 能 是　 通 Ｓ 表 所 指没有 屏蔽 时 入射 或发 射 电磁波 与在 同一 地点 经　屏 蔽 后 反 射 或 透 射 电 磁 波 的 比值 ， 为 屏 蔽 材 料 　 即对 电磁 信 号 的 衰 减 值 ， 单 位 用 分 贝 （ Ｂ） 示 ， 其 ｄ 表 　 可 写 成 如 下 方 程 式 　Ｊ　 ：Ｓ ＝２ ｌｇ Ｅ６ Ｅ。　 Ｅ ０ｏ （ ／ ）Ｓ ＝２ ｌｇ　 ／ ） Ｅ ０ｏ （ 日ａ　Ｓ ＝２ ｌｇ Ｐ６ Ｐ ） Ｅ ０ ｏ （ ／ 　　（） １　电磁 屏 蔽 技 术 通 常 使 用 标 准 金 属 及 复 合 材　 料 ， 们 的 屏 蔽 效 能 很 好 ， 是 存 在 重 量 大 、 格　 它 但 价 昂 贵 、 腐 蚀 、 于 调 节 屏 蔽 效 能 等 缺 点 ． 电 高　 易 难 导 分 子 材 料 （ ｏ ｄ ｃｉ ｇＰ ｌｍｅｓ ＣＰ ） 有 同 样 电　 Ｃ ｎ ｕ ｔ 　 ｏｙ ｒ ， ｓ 具 ｎ 磁 屏 蔽 性 能 且 重 量 轻 、 性 好 、 加 工 、 导 率 易　 韧 易 电 调 节 、 本低 、 大 面积 涂 敷 、 工 方 便 ． 此 ， 成 易 施 因 它　 是 一 种 非 常 理 想 的 替 代 传 统 金 属 的 新 型 电磁 屏 蔽 　 材 料 ， 应用 在计 算 机房 、 机 、 视机 、 可 手 电 电脑 和 心　 脏 起 搏 器 等 电 子 电器 元 件 上 ．２ － 　式 中　 、 Ｅ。分 别 表 示 屏 蔽 前 、 电 场 强 度 ， 后 　 为 屏 蔽 前 、 的 磁 场 强 度 ， 、 　为 屏 蔽 前 、 后 　 Ｐ 　 后 的 能 量 场 强 度 ． 减 值 越 大 ， 明 屏 蔽 效 能 越　 衰 表 好 ． 据 Ｓ ｈ ｌｕ ｏ 电 磁 屏 蔽 理 论 ， 属 材 料 的 屏　 根 ｃ ｅｋ ｎ ｆ 金 蔽 效 能可 用下式 表示 ： 　Ｓ ＝Ｒ ＋Ａ ＋口 Ｅ 　 （ 　 ２）式 中　 为 电 磁 波 的 反 射 损 耗 。 为 电 磁 波 的　 Ａ 吸收损 耗 ， 为 电磁 波 在 贫 比材 料 内部 多 次 反 射　 口 过 程 中 的 损 耗 ．当 Ａ＞ｌ ｄ 时 ， 可 忽 略 不 计 ， ＯＢ 口 故　［ 收稿 日期 ］２０ ０ ０ ６― ９―１　 ５［ 作者简介］粱韶华（９７ ， 广西钦州人， １６ 一）女， 钦州学院物理与电子工程系讲师 　第６ 　 期式 （ 可表 示 为 ： ２） 　Ｓ ＝Ｒ ＋ Ｅ 　梁韶华： 导电高分子材料在 电磁屏蔽的效能分析　５　 ５烈 的各 向异 性 ， 过 大 分子 仃键 电子 云交 叠形 成　 通（ 　 ３）导带 共轭 分子 键 的方 向就 是 导 带方 向． 导 带 载　 从 流 子 的种 类 来 看 ， 被 分 为 离 子 型 和 电 子 型 两 类 ． 又 　 离 子型导 带高分 子材 料通 常又 叫高分 子 固体 电解　 质 ， 导 电 时 的 载 流 子 主 要 是 离 子 ； 子 型 导 电 高　 其 电 分子 材料 指 的 是 以 共 轭 仃 键 大 分 子 为主 体 的导　 电高分 子材料 ， 电时 载流 子是 电子 （ 穴 ） 孤　 导 空 或子 （ ｏｉ ｎ ． Ｓ ｌｏ ）　 ｔ其 中 ： ＝１ ８―１ １ｇ ｆ＊ ｔ，　 Ｒ ６ ０ｏ （ ， ｒ） ｂ／Ａ ＝１ ３ （ ，ｔ，　 ． １　 ／ｒ ）（ 　 ４）（） ５　式 中　， 为屏 蔽材 料 的相对磁 导 率 ， ， ｏ 为相 对　 ｒ电 导 率 　 为 电 磁 波 频 率 （ ）， 屏 蔽 材 料 厚 度　 Ｈｚ ｚ为 （ ｍ） 由 式 （ 、 ５） 知 ， 于 银 、 、 等 良 导　 ｃ ． ４） （ 可 对 铜 铝 体 ， ， ， Ｒ值 大 即在 高 频 电磁 场作 用 主 耍 取　 ｒ 大 则 ， 决 于 表 面 反 射 损 耗 ， 金 属 的 ｏ， 大 ， 蔽 效 能 　 且 ｒ越 屏高 分 子 聚 合 物 导 电 必 须 具 备 两 个 条 件 ： １　 （ ）要 能 产 生 足 够 数 量 的 载 流 子 （电 子 、 穴 或 离 子 、 空 　 孤 子 等 ）； ． ． Ｕ． ． Ｓ ｈ ｉｆ ｒ和 Ａ． ． ｅ ｅ　 Ｗ Ｐ Ｓ Ｊ Ｒ． ｃ ｒ ｆ ｅｅ Ｊ Ｈｅ ｇ ｒ 于 １７ ９ ９年 提 出 孤 子 （ ｏｉ ｎ 理 论 （ 称 Ｓ Ｈ 理 　 Ｓ ｌｏ ） ｔ 简 Ｓ论 ） 根 据 这 一 理 论 ， 子 、 化 子 （ ｏａｏ ． 孤 极 Ｐ ｌｒｎ）和 双 　越好 ； 对 于铁 和铁镍 合金 等 高磁 导率 ， 大则 Ａ 而 　， 　值 大 ， 表 明 当屏 蔽 材 料 衰 减 的 低 频 电磁 场 时 ， 这 吸　 收 损 耗 将 起 主 要 作 用 ． 此 ， 做 低 频 屏 蔽 的 导 电　 因 凡 层 必 须 具 有 良 好 的 电导 率 和 磁 导 率 ， 且 要 有 足 　 并 够 厚 度　 ． 　 通常 ， 蔽 效能 的具 体分 类 为 ： 屏 ０―１ ｄ ０ Ｂ几 乎 　 没 有 屏 蔽 作 用 ； ０～３ ｄ 有 较 小 的 屏 蔽 作 用 ； ０ １ ０Ｂ ３　～极 子 化 （ ｉｏａｏ ） 视 为 导 电 高 分 子 的 导 电 载 流　 Ｂ ｐ ｌｒｎ 被 子 ． 验证 实 ， 掺 杂 ” 实 现 高 分 子 导 电 的有 效　 试 “ 是 途 径 ， 且 证 实 了它 的可 靠 性 和 实 用 性 ． 掺 杂 ” 而 “ 　 是 氧 化 还 原 过 程 ， 实 质 是 电荷 转 移 ； 次 ， 电　 其 其 导６ｄ ０ Ｂ为 中 等 屏 蔽 效 能 ， 用 于 一 般 工 业 或 商 业 　 可用 电子产 品 ；０～９ ｄ ６ ０ Ｂ则 屏 蔽 效 能 较 高 ， 用 于　 可航 空 航 天 及 军 用 仪 器 设 备 的 屏 蔽 ；０ Ｂ 以 上 的 屏 　 ９ｄ高分 子 的“ 掺杂 ” 很 大 ， 高达 ５ ％ ； 量 可 ０ 再次 ， 电　 导高分子 有 “ 掺杂 ” 程 ， 且 “ 杂一脱 掺 杂 ” 　 脱 过 而 掺 过 程完 全可逆 ． 掺 杂 ” 用 方 法 包 括 化 学方 法 、 “ 所 电　 化学 方法 以及 无离 子 引 入 的 暂态 掺 杂 法 等． 论　 无在掺 杂实 质 、 杂 量 、 杂 后形 成 的载 流 子 性 质 、 掺 掺 　蔽材 料 则具有 最 佳 屏 蔽 效 能 ， 用 耍 求 苛 刻 的 高　 适精 度 、 敏 感 度 产 品 ． 据 实 用 需 要 ， 于 大 多 数　 高 根 对电子产 品的屏 蔽材 料 ， ３ 在 ０～Ｉ０ ＭＨ 频 率 范 围　 Ｏ０ ｚ 内， Ｓ 其 Ｅ至 少 达 到 ３ ｄ 以 上 （ 对 应 的 体 积 电　 ５Ｂ 相阻 率 Ｐ 在 １ 。 ?ｃ 以 下 ） 就 认 为 是 有 效 的 屏　 　 ０ｎ ｍ ，蔽 ［． ４　 ］掺杂／ 掺 杂可逆 等 方 面 与无 机半 导 体 的 “ 杂 ” 脱 掺 　 概 念 有 着 本 质 的 区 别 ．因 此 ， 入 了 解 “ 杂 ”实　 深 掺 质 、 电 机 理 ， 索 新 的 “ 杂 ” 法 ， 新 型 导 电　 导 探 掺 方 为 高分 子 材料应 用打下 坚实 的基 础 ． 　 ２． 　 复 合 型 导 电 高 分 子 材 料 导 电 机 理　 ２导 电高 分子 复合 材 料通 常 由导 电填 料 、 分　 高子 基体 及其 它 助剂 所 组 成 ， 注 射 成 型或 挤 出 成　 经 型等工 艺过 程制成 具 有一定 导 电性 能的 电磁屏 蔽　复 合 型 导 电 高 分 子 材 料 （ ｏ ｄ ｃ ｎ　 ｏ ｍｅ Ｃ ｎ ｕ ｔ ｇＰ ｌ ｒ ｉ ｙ 　Ｃ ｍｐ ｓ ｅ ， Ｐ ） 是 指 物 理 改 性 后 具 有 导 电 性 　 ｏ ｏ ｉ ｓ Ｃ ＣＳ　 ｔ材 料 ． 于 导 电 高 分 子 复 合 材 料 具 有 成 型 加 工 和　 由屏 蔽一 次完 成 的特 点 ， 而可 以大 大 缩短 工 艺 过　 从 程 ， 低 生 产 成 本 ， 于 大 批 量 生 产 ， 高 产 品 的　 降 便 提的高分子 复合 材 料 ， 以非导 电 型高 分 子材 料 为　 它基体 ， 入一 定 数 量 的导 电材 料 （ 碳 黑 、 墨 、 加 如 石 　可 靠性 ， 因此 是 目前 具 有 发 展 前 途 的 新 型 电 磁 屏 　蔽 材料 ． 　碳 纤维 、 金属 粉 、 属 纤 维 、 属 氧 化 物 等 ） 合　 金 金 组而 成 ． 合 方 法 主 要 有 两 种 ， 种 是 对 已 经 成 型 的　 复 一 朔料壳 体进行 表 面处 理 的表 面导 电膜 形 成法 ， 　 包 括 金 属 喷 镀 、 空 镀 、 射 镀 、 金 属 箔 、 法 化 学　 真 溅 贴 湿 镀 或 电 镀 等 ； 一 种 称 为 电 镀 填 料 机 械 加 工 共 混　 另２ 导 电高分 子材 料 导 电机 理　 　按 结 构 和制 备 方法 不 同 ， 将 导 电高 分子 材　 可料 （ Ｐ ） 为 本 征 （ 构 ） 与 复合 型 两 大类 ． 　 Ｃ ｓ分 结 型 导 电高 分 子 材 料 具 有 特 殊 的 结 构 和 优 异 的 物 理 化 学 　 性质 ， 室温 电导 率 可 在 绝 缘 体一 半 导 体一金 属　 其导 体 范 围 内变 化 （ ０一Ｓ ｃ 一１ 　 ／ ｍ） 导 电 特　 １ ／ｍ ０Ｓｃ 其复合 法 ， 即将 导 电填 料 均 匀 分 散 于 聚 合 物 基 体 中　制 成 导 电涂 料 或 导 电 塑 料 ． 　复 合 型 导 电 高 分 子 材 料 的 导 电 机 理 比较 复　杂． 般可 分为导 电回路如何 形 成 ， 及 回路形成　 一 以性 是 它 在 抗 静 电 、 磁 屏 蔽 和 吸 波 材 料 上 的 重 要　 电应用 基础 ． 　２ １ 本 征型 导 电高分子 材料 导 电机理　 ．　后 如 何 导 电 两 个 方 面 ． ｙｓｋ Ｍｉ ａ ａ等 认 为 高 分 子 树 　 ａ脂 基 体 与 导 电 填 料 之 间 的 界 面 效 应 对 复 合 体 系 中　 导 电 回 路 的 形 成 具 有 很 大 的 影 响 ， 合 型 导 电 高　 复 分 子 形 成 导 电 回 路 后 ， 电 性 主 要 取 决 于 分 布 于　 导 高 分 子 树 脂 基 体 中 的 导 电 填 料 的 电 子 传 输 ． 的　 总 说 来 。 导 电性 能 主 要 是 三 种 导 电 机 理 （ 电通　 其 导本 征 型 导 电 高 分 子 材 料 （ ｎｒ ｓｃ ｃ ｎ ｕ ｔ ｇ Ｉ ｔ ｎ ｉ　 ｏ ｄ ｃｉ 　 ｉ ｎ ｐ ｌｍｅｓ Ｉ Ｐ ） 是 由 具 体 共 轭 仃 键 的 聚 合 物 ， 　 ｏｙ ｒ ，Ｃ ｓ　 经 化 学 或 电化 学 “ 杂 ” 形 成 导 电 ， 电 性 显 示 强 　 掺 后 导５　 ６钦 州学 院 学报　第２ 卷　 １道 效应 、 道 效应 、 致 效应 ） 互 竞 争 的 作 用． 隧 场 相 　 在 不 同 情 况 下 出 现 以 其 中一 种 机 理 为 主 导 的 导 电　现象 ． 　镍 碳 纤 维 填 充 Ｐ Ｐ 等 高 分 子 基 体 制 成 的 复 合　 Ａ、 Ｃ材 料 ， 蔽 效 能 可 达 ４ ｄ 以 上 ． 用 镀 镍 率 ２ ％　 屏 ０Ｂ 采 ５ 加镀 铜率 ２ ％ 的云母 片 ， 填充 量 为 ｌ． 　） ５ 当 ７ ５（ ％　 时， Ｐ 与 Ｐ制 成 的 复 合 材 料 在 ０～１ ０ ＭＨ ０ ０ ｚ频 率 范　 围 内的屏 蔽效 能可 达 ４ ０～６ ｄ 即 在 高 频 区 域 的　 ０ Ｂ， 屏蔽效 能 尤 为明显 ． 　 此 外 ， 国 和 日本 近 年 开 发 一 些 超 细 碳 黑 也　 美 可 用 于 制 造 导 电 高 分 子 复 合 材 料 ， 们 与 ＰＰ 复 　 它３ 导 电 填 料 对 屏 蔽 效 能 的 影 响　 　３ １ 导 电 填 料 的 性 质　 ． 电磁屏蔽 用导 电高分子 复合 材料 的导 电填 料　 主要是 一些 导 电性 能优 良金 属粉 末 、 属 片或 金　 金 属纤维 ， 金 属 的碳纤 维 、 墨纤 维 和云母 以及 炭　 镀 石 黑 、 墨等非金 属 填料 ． 从 单一 物质 的导 电性 而　 石 仅 言 ， 用 金属粉 末 或金 属 片 当然 是 既有 效 又 经 济　 使 的选 择 ． 其 当 需 要 特 别 高 的 电导 率 时 ， 好 选 用　 尤 最 银 粉 或 金 粉 做 导 电 填 料 ． 粉 在 高 分 子 基 体 中 的　 银 含 量 为 ５ ％ ～５ ％ 时 ， 合 材 料 的 ｐ ０ ５ 复 　约 为 ｌ 一 Ｏ～ 　 ｌ 　ｎ ? ｍ， 蔽 效 能 高 达 ８ ｄ 以 上 ． 由 于 银　 Ｏ ｃ 屏 ０Ｂ 但合后 的屏 蔽 效 能在 ５ ０―１０ ＭＨ ０ ０ ｚ范 围 内 ，０ Ｂ， ４ｄ 　且体 积 电阻率 可在 １ Ｏ～１ 　 ｎ ?ｃ 范 围 内 调 节 ， Ｏ ｍ 　 材料 重量 轻 ， 比重 仅 为 １ ８Ｖｃ 。 若 将 石 墨 粉 渡 　 ． ｒ ｍ　 镍 后 制 成 的 导 电 填 料 与 高 分 子 材 料 复 合 ， 可 进　 还一步 提高 复合 材料 的屏 蔽效 能 ． 　 导 电填 料 的形 态 ， 其 是 长径 比对 导 电高 分　 尤３． 导 电 填 料 的 形 态 　 ２ 子 复 合 材 料 的 屏 蔽 效 能 有 显 著 的 影 响 ． 径 比 越　 长 大 ， 导 电性越 好 ． 则 目前 常 用 的 金 属 纤 维 的 长 径 比　一粉 或 金 粉 价 格 昂 贵 ， 限 于某 些 特 殊 场 合 下 使 用 ． 仅 　铜 是 优 良 的导 电 体 ， 价 格 适 中 ， 她 容 易 被 氧 化 　 且 但 而 降 低 导 电性 能 ． 了解 决 这 一 问 题 ， 常 采 用 抗　 为 通般为 ５ Ｏ～６ 当 填 充 量 为 ｌ 　 ） 一ｌ 　 ） Ｏ， Ｏ（ ％ ５（ ％　氧化剂 对铜 粉进 行 表 面 处 理 ． 氧 化剂 包 括 有 机　 抗胺 、 机 硅 、 机 钛 、 机 磷 等 化 合 物 ； 用 较 不 活　 有 有 有 或时 便 具 有 足 够 的 导 电 性 能 ， 粉 末 状 导 电 填 料 的　 而 填 充 量 则 要 达 到 ４ 　 ） 左 右 ， 样 就 会 影 响 到　 ０（ ％ 这泼 的金 属包覆 铜粉 和镍 、 混 合使 用 ， 可 达到 理　 银 均 想 的 屏 蔽 效 能 ． 片 则 具 有 密 度 小 、 色 浅 、 格　 铝 颜 价低 等优 点 ， 具 有较 大 的长径 比 ， 易 在高 分子 基　 并 容复 合 材 料 的 力 学 性 能 ． 径 比 越 大 ， 明 更 容 易 形　 长 表 成导 电 网络． 此在 填 充量相 对较 低 的情况 下 ， 因 能　够 保 证 较 好 的 导 电 性 能 和 电磁 屏 蔽 效 能 ． 如 ， 例 长　 径 比 为 １ ５ 的 金 属 纤 维 ， 填 充 量 为 １ ５（ ） ２ 当 ． 　 ％　 时 ， 合 材 料 的 屏 蔽 效 能 为 ４ ｄ 而 长 径 比为 ２ ０ 复 ０ Ｂ； ５　体 中形 成导 电 网络． 是铝 的导 电性 不太 高 ， 但 如添　加 ３ ％ 铝 片 的 尼 龙 复 合 材 料 ， 屏 蔽 效 能 在　 ０ 其 Ｏ ５―１ ０ ＭＨｚ范 围 内 仅 为 １ ． ００ ５―１ ｄ 　 ８ Ｂ． 近 年 来 ， 内 外 对 金 属 纤 维 填 充 高 分 子 复 合　 国 材 料 的 研 究 进 展 迅 速 ． 金 属 粉 末 相 比 ， 属 纤 维　 与 金 有 较大 的长径 比 和接 触 面积 ． 此 在相 同 的填 充　 因 量 的 情 况 下 ， 属 纤 维 易 形 成 导 电 网络 ， 点 电 导　 金 其 率 较 高 ， 蔽 效 能 较 好　Ｊ 例 如 ， 用 为 震 动 切 割　 屏 ． 采 技 术 制 得 的 黄 铜 纤 维 填 充 尼 龙 ， 填 充 量 为 ｌ　 当 Ｏ （ ％ 时 ， 合 材 料 的 体 积 电 阻 率 ＜１ － ｍ， 　） 复 ０一ｌｅ 屏　 ￣ 蔽 效 能 可 达 ６ ｄ 用 铁 纤 维 填 充 尼 龙 、 Ｐ、 Ｃ 等　 ０ Ｂ． Ｐ Ｐ的 纤 维 状 导 电 填 料 ， 用 量 仅 需 Ｏ ４（ ） 左 右 ， 其 ． 　 ％ 　便 可 达 到 同 样 的 屏 蔽 效 能　 ． 样 既 可 以 降 低 成　 这本 ， 又使 材 料 的 比重 下 降 ， 力 学 性 能 明 显提 高． 而 　因 此 ， 用 长 径 比大 的 金 属 纤 维 对 提 高 导 电 高 分 　 采子 复 合 材 料 的屏 蔽 效 能 十 分 有 利 ． 外 ， 电 填 料 　 此 导 的 表 面 形 态 以及 在 高 分 子 基 体 中 的 分 散 状 况 也 会 　影 响 复合 材料 的屏 蔽效 能． 采用 多孔 质 、 若 比表 面 　大 以及 分 散 性 好 的 导 电 填 料 ， 容 易 获 得 较 好 的　 则屏 蔽效 能 ． 　高分子 制 成 的 复 合 材 料 ， 填 充 量 为２ （ ％ ～ 当 Ｏ 　） 　 ２ （ ） 时 ， 蔽 效 能 也 高达 ６ ７　 ％ 屏 Ｏ一８ ｄ ． 外 ， ０Ｂ 此 不　锈 钢 纤 维 具 有 耐 腐 、 氧 化 性 好 、 电 性 高 等 优　 抗 导３． 导 电 填 料 的 用 量 　 ３ 试 验 研究 表 明 ， 电高 分 子复 合 材 料是 通 过　 导 导 电填 充 之 间 相 互 接 触 形 成 的 导 电 通 路 而 实 现 电　 流 传 导 的 ． 着 导 电 填 料 的 增 加 ， 合 材 料 的 体 积　 随 复 电 阻 率 不 断 下 降 ， 电 阻 率 一 导 电 填 料 曲 线 上 出　 在 现 一 个 突 变 区 域 ， 电 填 料 用 量 的 微 小 变 化 会 导　 导点 。 虽 然 价 格 较 高 ， 用 量 少 ， 而 也 得 到 广 泛 应　 但 因用 ． 如 ， 于直 径 为 ７ 例 对 　ｍ 左 右 的 不 锈 钢 纤 维 ， 当　填 充 量 为 ６　ｔ ％ 时 ， Ｐ 、 Ｓ等 高 分 子 制 成 的　 （ ） 与 ＣＰ 复 合 材 料 ， 屏 蔽 效 能 为 ４ ｄ 随 着 填 充 量 的 增　 其 ０ Ｂ，加 ， 蔽效 能也会 相应 提 高Ｈ． 屏 　　 Ｊ 除 上 述 金 属 纤 维 作 为 导 电 填 料 外 ， 有 镀 金　 还 属 的 碳 纤 维 、 墨 纤 维 和 云 母 片 等 也 有 很 好 的 导　 石致 电阻率 的显著 改 变． 过这 一 临界值 后 ， 超 电阻 率　随 导 电 填 料 用 量 的 变 化 又 趋 于 缓 慢 ， 常 将 导 电　 通填 料 的 这 一 临 界 含 量 称 为 “ 虑 阀值 ” ． 渗 　 　 通 过 电 子 显 微 镜 技 术 观 察 导 电 高 分 子 复 合 材　料 的 结 构 发 现 ， 导 电 填 料 用 量 较 少 时 ， 料 分 散　 当 填 在 高分 子基 体 中互 相接 触很 少 ， 导 电性较 差 ． 　 故 随电 性 能 ， 用 这 类 复 合 填 料 制 备 的 导 电 高 分 子 复　 利 合 材 料成本 低 、 蔽 效 能 高． 如 ， １ （ ｔ％镀　 屏 例 用 ５ ｗ）第６ 　 期梁韶华 ： 导电高分子材料在电磁屏蔽的效能分析　５　 ７着 导 电填料 用量 的增 加 ， 料 之 间 相互 接 触 的 机　 填 会 增 多 ， 导 电性 逐 渐 提 高 ． 导 电 填 料 达 到 “ 使 当 渗　 虑 阀值 ” ， 料相 互 接 触 形 成 了无 限 网链 ． 个　 时 填 这 网链 就 像 金 属 网 贯 穿 于 高 分 子 基 体 中 ， 形 成 了　 即 导 电通路 ． 同 的导 电填料有 不 同 的临界填 充量 ， 不 　 而 同一 导 电填 料 填 充 不 同 的 高 分 子 基 体 时 ， 　 其 “ 虑 阀 值 ” 不 同 ． 般 说 来 ， 电 填 充 的 用 量　 渗 也 一 导 增加 ， 复合 填 料 的 导 电 性 能 和 屏 蔽 效 能 也 相 对 提　 高 ， 导 电 填 料 的 用 量 不 仅 影 响 复 合 材 料 的 屏 蔽　 但 效 能 ， 且 影 响 材 料 的 力 学 性 能 ． 于 导 电性 较 差　 而 对 的 导 电填 料 ， 了达 到 一 定 的 屏 蔽 效 能 ， 须 增 大　 为 必 达 到 填 料 的 填 充 量 ， 由 此 会 导 致 复 合 材 料 力 学　 但 性 能 的 下 降 ． 常 用 的金 属 纤 维 来 说 ， 用 量 一 般　 对 其以 １ （ ％ ～２ 　 ） 为 宜 ． ２ 　） ０（ ％ 　取 决 于 导 电填 料 与 高 分 子 基 体 的 分 散 状 况 和 导 电　 结 构 的形 成 过 程 ． 保 证 各 组 分 充 分 混 合 ， 合 体　 为 复 系 必须 进行 混炼 ， 混 炼 往 往 又会 破 坏 导 电 填料　 但 的 组 织 结 构 ， 而 影 响 导 电性 能 ． 此 ， 择 合 理　 从 因 选的混炼 工 艺 参 数 和混 炼 设 备 的 技 术 参 数 十分 关　键 ． 如 ， 出 时 ， 力 应 尽 可 能 小 ， 切 速 度 尽 可　 例 挤 受 剪 能低 ， 以保 持 导 电组 织 结 构 的 完 整 性 ． 工 温 度 升　 加 高 或流体 熔体 直 数增 大 ， 以 降低 复 合 体 系 的粘　 可 度 和 剪 切 应 力 ． 长 成 型 时 间 也 有 利 于 保 持 导 电　 延 结 构 的 完 整 性 ．ｌ １ 　 当用 金属 纤 维 做导 电填 料 时 ， 于其 与 高分　 由 子基 体 的结合 力 较差 ， 成金 属 纤 维 在 基体 中分　 造 散 不 好 且 纤 维 容 易 折 断 而 降 低 长 径 比． 了 解 决 　 为 这 一 问 题 ， ａｅ 公 司 将 金 属 纤 维 在 距 料 简 末 端 前 　 Ｂ ｙｒ 方 约 ３ Ｄ为螺杆 直径 ） 加 料 ， 为此 处具有 足　 Ｄ（ 处 认 够 的压力使 物 料 均化 ， 时也 减 少 了 因强烈 的剪　 同 切 作 用 而 引 起 的 纤 维 磨 损 ．日本 东 芝 化 学 公 司 采　 用特 殊母 粒法 ， 填 充长纤 维成 为可 能 ． 这种 复　 使 由 合工 艺制 得 的铜 纤 维／ Ｐ 复合 材 料 具有 填 充 量　 Ｐ０ 少 、 料 分 散 均 匀 、 本 低 、 蔽 效 能 好 等 突 出 的　 填 成 屏 优点 ， 此是一 种先 进 的复合工 艺 ． 因 　 综 上 所述 ， 响导 电 高分 子 复合 材 料 的 电磁　 影 屏蔽 效能 的 因素是多 种多样 的． 上 述 因素外 ， 除 复　 合体 系 中的各种 助剂 、 型加工 模具 、 用 环境 及　 成 使 使用 时 间等都会 在一 定程 度上影 响复合材 料 的屏　 蔽 效 能 ． 了进 一 步 开 发 和 使 用 更 多性 能 优 异 、 　 为 成 本低 、 蔽 效能 高 的导 电高分子 复合 材料 ， 须充　 屏 必 分 考 虑 性 能 、 格 和 加 工 性 等 综 合 因 素 ， 满 足 电　 价 以 子工 业 和信息 技术等 产业 高速 发展 的要 求． 　３． 　 高 分 子 基 体 对 屏 蔽 效 能 的 影 响　 ４高 分 子 作 为复 合 材 料 的连 续 相 和粘 结基 体 ， 　其 种 类 和 结 构 对 材 料 的 屏 蔽 效 能 也 有 明 显 的 影　 响 ． 般来 说 ， 一 以不 同 种 类 高 分 子 材 料 为 基 体 制 成　 的 复合材 料 ， 着 高分子 材料 表 面张力 的减 小 ， 随 其　 导 电 性 能 和 电 磁 屏 蔽 相 应 提 高 ； 对 于 同 一 种 类　 而 高 分 子 材 料 为 基 体 的 复 合 材 料 ， 导 电 性 能 随 高　 其 分 子 粘 度 的 降 低 而 升 高 ． 是 由 于 粘 度 越 低 ， 电　 这 导 填 料 的 分 散 效 果 就 越 好 ． 分 子 基 体 的 结 晶 度 越　 高大 ， 导 电 性 能 越 好 ． 可 以 理 解 为 ， 电 填 料 主　 则 这 导要 分 布 在 高 分 子 基 体 的 非 晶 区 ， 以 当 结 晶 相 对　 所比 例 增 ￣ Ｄ ， 填 料 用 量 相 同 的 情 况 下 ， 分 子 非　 － ，在 Ｊ － 高晶 区 导 电 填 料 的 含 量 就 相 对 增 大 ， 形 成 导 电 通　 则路 的 ｎ 率 就 越 大 ． 如 ， 不 锈 钢 纤 维 为 导 电 填　 例 以料 ， 别 与 Ａ Ｓ和 Ｐ 分 Ｂ Ｐ两 种 高 分 子 材 料 复 合 制 成　电磁屏 蔽 用 导 电复合 材 料 ． 构 发 现 ， 晶性 Ｐ 　 结 结 Ｐ 基 体 比无 定 型 的 Ａ ＢＳ基 体 所 需 的 纤 维 临 界 填 充　 量 低 ， 在 相 同 的 不 锈 钢 纤 维 含 量 条 件 下 ， 晶 性　 即 结 Ｐ Ｐ基 复 合 材 料 的 导 电 性 能 和 屏 蔽 效 能 均 优 于 无 　 定 型 的 ＡＢ Ｓ基 复 合 材 料 　Ｊ ． 　 此 外 ， 分 子 基 体 的 聚 合 度 和 交 联 度 也 会 影　 高 响到复 合材 料 的 导 电性 能　 ． 合 度 越 高 ， 带　 聚 价［ 考 文 献］ 参 　［］赖祖武． １ 电磁干 扰防护 与 电磁兼 容 ［ ． 京 ： 子能 出版　 Ｍ］北 原社 ，９ ３ １９ ． 　［ ］王 锦成． ２ 电磁屏蔽 材料 的屏蔽原 理及研 究现状 ［ ］ 化工 新　 Ｊ．型材料 ，０ ２，０ ７ ：６―１． ２０ ３ （ ） １ ８ 　和 导 电 带 的 能 隙越 小 ， 电性 越 高 ， 聚 合 度 太 高 　 导 但叉 会 影 响 复 合 体 系 的 相 容 性 ． 联 使 复 合 材 料 的　 交［ ］沙 皮罗著＋ ３ 甘得午译． 电磁屏蔽 的理论基 础［ ． Ｍ］ 北京 ： 国防　工 业 出版 社 ，９ ３　 １８ ． ［ ４］Ｃ ｒ ｔａ ｓＪｌ　 ． ｏａｈｅ Ｕ． ．ａｅｔ４ ８ ７９　 ｈｉｓ ｍｉ，ｏ Ｅ Ｍ ｃｓｉ． Ｓ Ｐ ｔｎ，５ ２ ２ ． ｓｉ ｍ导 电性 下 降 ． 是 由 于 一 方 面 交 联 使 高 分 子 基 体 　 这的结 晶性降 低 ， 非 晶部分 增 大 ， 一 方 面交联 影　 而 另响 和 阻 碍 了 导 电粒 子 的 迁 移 和 运 动 能 力 ． 此 ， 　 因 选［ ］陈碗 ， ５ 梁成浩 ， 阳． 谢 本征导 电聚合 物开发 的最新进 展［ ］ Ｊ． 　电 化 学 ，０ １７ ４ ：９ ４ ２ ２０ ，（ ） ３６― ０ ． 　［ ］付 东升， ６ 张康助 ， 张强． 电高分子材料研 究进展 ［］现 代　 导 Ｊ．靼料加工应用 ， ０ １ （ ） ５ ― ９ ２ ４， １ ：５ ５ ． ０ ６ 　择 高分 子基 体 时 ， 根 据各 组 份 性 能 及 其 它条 件　 应综合考 虑 ， 前 常 用 的 高 分 子 基 体 有 Ａ Ｓ Ｐ 、 目 Ｂ 、 Ｐ　Ｐ Ｏ、 Ｃ、 Ｖ Ｐ Ｐ Ｐ Ｐ Ｃ、 Ｅ以 及 Ｐ 等 等 ． Ａ 　３． 　 复 合 工 艺 对 屏 蔽 效 能 的 影 响 　 ５［ ］ 肖华庭 ， 昌清 ， ７ 诸 雷有华． 电磁兼容原理 ［ ． Ｍ］北京 ： 电子工业　出 版 社 ，９ ５ １８ ． 　［ ］Ｃ Ｙ ＬｅＨ Ｇ Ｓｎ 。 ．．ａｇ ｔ １Ｅｅｔｍ ｇｅｃＩｅｅ　 ８ ． ．ｅ， ． ．ｏｇＫ ＳＪｎ　　 ． ｌ ｒ ａｎｔ　 ｔｆ－ ｅａ ｃｏ ｉ ｎ ｒｒｅ ｃ 　 ｈ ｅｓｎ 　 ｆ ｅ ｃ 　 ｆＰ ｌａ ｉｉ ｅ Ｍｉ ｔ ｒ ｓａ ｄ Ｍｕ ｔ ｌｙ ｒ ｎ ｅ Ｓ ｉｌｉ ｇ Ｅｆ ｃ ｎ ｙ ｏ　 ｏ ｙ ｎ ｌｎ 　 ｘ ｕ ｅ 　 ｎ 　 ｌ ｐ ａ ｅ 　 ｉ ｉ复 合 材 料 的 导 电性 能 和屏 蔽 效 能 很 大 程 度 上 　５　 ８Ｆｍ ［］Ｓｎ ｅｃＭ ｔｓ１９ ， ２ １４ ―１ ９ ｉ ｓＪ ．ｙｔ ｔ　 ｅ ｌ， ９１ ： ６ ３ ． ｌ ｈｉ ａ ９ ０ ３ ４　钦州学院学报　２ ０３， ４ ―４１　 ０ １： ０ ．第２ 卷 １ 　［ ］谭松庭， ９ 张明秋 ， 曾汉 民． 屏蔽 Ｅ Ｉ 导 电性高 分子复合 材　 Ｍ用 料 ［ ］材料工程 ， ９ ，： ― ． Ｍ． １ ８５６ ９ ９ 　 ［Ｏ １ ］万剐。 李荣德． 电磁屏蔽材料 的进展 ［］安 全与 电磁兼 容 ， Ｊ． 　［１ １ ］贾 向明 。 宪 。 李光 陆玉本等． 征导 电高 分子复合 材料 的研　 本究进展 ［］塑料科技 ，ｏ３２４ ― ６ Ｊ． ２６ 。： ４． ３ 　Ｓ ｕ ｙ ｏ 　ｈ 　 ｆｅ ｔｖ ｎ ｓ　 ｆＥｌｃｒ ｍ ａ ｎ ｔ 　 ｎ ｅ ｅ ｅ ｃ 　 ｈ ｅｄ ｎ 　 ｔ ｄ 　 ｎ ｔ ｅ Ｅｆ ｃ ｉ ｅ ｅ ｓｏ 　 ｅ ｔｏ ｇ ｅ ｉ Ｉ ｔ ｒ ｒ ｎ ｅ Ｓ ｉｌ ｉ ｇ ｃ ｆｏ 　 ｅ ｔ ｉ　 ｎ ｕ ｔｖ 　 ｏ ｙ ｒ Ｃｏ ｐ ｓｔ ｓ ｆＥｌｃ ｒｃ Ｃｏ ｄ ｃ ｉ ｅ Ｐ ｌ ｍｅ 　 ｍ ｏ ｉｅ 　Ｌ ＡＮＧ　 ｈ ｏ ｈ ａ Ｉ Ｓ ａ ．ｕ 　（ ｅａ ｍ ｎ ｏ ｈｓｓ ｎ 　ｌｔ ｎ ― ｎ ｒａｉ 　ｎ ｉ ｅ ｎ ， ｉ ｈｕＵ ｉ ｒｔ， ｉ ｈｕ ３０ ， ｈ ａ　 Ｄｐ ｒ ｅｔｆＰ ｙ ｃ ａｄＥｅ ｒ ｉ Ｉ ｏ ｔ ｎＥ ｇ ｅ ｉ Ｑｎ ｏ　 ｎ ｅ ｉ Ｑｎ ｏ　 ５０ Ｃｉ ） ｔ 　 ｉ　 ｃｏ ｃ ｆ ｍ ｏ ｎ ｒｇ ｚ ｖ ｓｙ ｚ ５ ｎＡ ｓ ａｔ Ｅｅｔｃｃｎ ｕｔ ｇｐｌ ｒｉ ｏｅｏ　 ｅｍ ｓｐｏ ｉ ｎ　 ａｅ ａ 　 ｒ ｌｃ ｏ ａｎｔ　 ｔｆｒｎｅ（ ＭＩ ｈｅ― ｂ ｔ ｃ： ｌ ｒ 　ｏ ｄ ｃｎ　ｏ ｍｅ ｓ ｎ　ｆｈ　 ｏｔ ｒｍ ｓ ｇｍ ｔ ｌ ｆ 　 ｅｔ ｍ ｇｅ ｃｉ ｅ ｅ ｃ Ｅ ）ｓｉ 　 ｒ ｃ ｉ ｉ ｙ 　　 ｔ 　 ｉ ｉ ｒ ｓｏ ｅ ｒ ｉ ｎｒ ｅ ｌｄ ｎ ． Ａｃ ｏ ｄ ｎ 　ｏ ｔ ｅ ｓ ｕ ｔ ｒ　 ｎ 　 ｒ ｐ ｒ ｔ ｎ，ｅ ｅ ｔ ｃ ｃ ｎ ｕ ｔ ｅ ｐ ｌｍｅ 　 ａ 　 ｅ ｄ ｖ ｄ ｄ ｉ ｔ　ｗｏ ｃ ｔｇ ｒ ｓ ｎ ｒｎ ｉ　 ｄ ｉｇ ｃ ｒ ｉ ｇ ｔ　ｈ 　 ｔ ｃｕ ｅ ａ ｄ ｐ ｅ ａ ａｉ ｒ ｏ ｌ ｃｒ 　 ｏ ｄ ｃｉ 　 ｏ ｙ ｒ ｃ ｎ ｂ 　 ｉｉ ｅ 　 ｎｏ ｔ 　 ａ ｅ ｏ ｅ ：ｉ ｔ ｓｃ ａ 　 ｉ ｖ ｉ ｉ ｎｃｍ ｌｘ Ｔ ｅｍ ｉ ｂ ｄ　 ｄｃｍ ｏｎ　 ｃｎｑ ｅ ｆ ｌ ｔｃ― ｏ ｄｃｏ ―ｆｌ 　ｏ ｍｅ ａｅｔｅ ａ ｒａｔｒ ｔａ ａｅｔｈ 　 ｅ－ ｏ ｐｅ ． ｈ　 ａｎ ｏｙａ 　ｏ ｐｕ ｄｔ ｈ ｉ 　 　 ｅ ｒ ｃｎ ｕｔｒ ｉ ｅ ｐｌ ｒ 　 　 ｊ 　 ｃ ｓ ｈｔ ｆ ｃ ｔｅ ｌｃ 　 ｎ ｅ ｕ ｏ ｅｃｉ ｌ ｄ ｙ 　 ｈ ｍ ｏｆ ｏ　 　 ｒ 　 ｅ 　ｔ ｍａ ｎ ｔ 　 ｆ ｃｉ ｅ ｅ ｓ ｏ 　ｌ ｃ ｉ　 ｎ ｕ ｔ ｅ ｐ ｌ ｍｅ 　 ｏ ｏ ｉ ｓ ｒ ｏ ｇ ｅｉ ｅ ｅ ｔ ｎ ｓ　 ｆｅｅ ｔ ｃ ｃ ｄ ｃ ｉ 　 ｏ ｙ ｒｃ ｍｐ ｓｔ ． ｃ ｖ ｒ ｏ ｖ ｅ　Ｋｅ 　 ｒ ｓ：ｅｅ ｔ ｍａ ｎ ｔ 　ｎｅ ｅｅ ｃ 　ｈｅｄｎ ；ｅｅｔ ｃｃ ｎ ｕ ｔ ｅｐ ｌｍｅ　ｏ ｏｉ ｓ ｈｅｄｎ 　ｆ ｃｉｅ ｅ ｓ ｙｗｏ ｄ ｌｃｒ ｏ ｇ ｅｉ ｉｔｒ ｒｎ ｅｓ ｉｌｉｇ ｌｃｒ 　ｏ ｄ ｃｉ 　 ｙ ｒｃ ｍｐ ｓ ｅ ；ｓ ｉｌｉｇｅ ｅ ｔ ｎ ｓ　 ｃ ｆ ｉ ｖ ｏ ｔ ｖ［ 任编辑 责江元杪 ］ 　（ 接第４ 上 ９页 ） 　［ ］边肇祺 ， ３ 张学工 等． 模式 识别 ［ ． Ｍ］ 北京 ： 清华 大学 出版社 。 　１９ 　 ９ ９．［ ］洪莜坤 ， ５ 王智华． 中药数字化 色谱指纹 谱 ［ ． Ｍ］ 上海 ： 上海 科　学技术 出版社 ， ０ ． ２ ３ ０ 　［ ］辛义周 ， ４ 张希成 。 文照． 唐 地耳草 的化学成分及药理作用研究　 进展 ［］ 山东 医药工业 ， ０ ， （ ）２ ． Ｊ． ２ ３２ ２ ： 　 ０ ２ ８［ ］陈闽军 。 ６ 程翼宇 ， 林瑞超． 中药色谱指纹图谱相似性计算方法　的研究［ ］中成 药 。 ０ 。 （２ ： ６ Ｊ． ２ ２２ １）９ ． ０ ４ ０　Ｓｕ ｙｏ 　ｈ 　 ｏ ｔｄ 　ｎ ｔｅＣ ｍｍｏ 　 ａｔｒ 　ｆｔｅＨｉｌ―Ｐ ｒｏ ｍａ ｃ　 ｉｕｄ ｎＰ ｔ ｎ ｏ　 　 ｇｌ ｅ ｒ ｎ ｅＬ ｑ ｉ　 ｅ ｈ ｆＣ ｒ ｍａｏ ｒ ｐ ｉ Ｆ ｎ ｅ ｐ ｉｔｏ 　 ｐ ｒｃ ｍ　 ａ ｏ ｉｕ Ｔ ｕ 　 ｈ ｏ ｔｇ ａ ｈｃ ｉｇ ｒ ｒｎ 　 ｆＨｙ ｅ ｉｕ Ｊ ｐ ｎｃ ｍ　 ｈ ｍｂ 　ＣＡＩＺ ．ａ 　 　 ｅ ｆｎ（ ｌｔ ｎ 　 ｎｉ ｅｎ　 ｅ ｒ ｅｔｆＳ ｕｄ　ｏ ｔｈ ｉ， ｕｄ　２３０ Ｃ ｉ ） Ｅｅ ｒ ｉ Ｅｇｎ ｒ ｇＤｐ ｔ ｎ ｏ ｈ ｎｅ ｌｅ ｎ Ｓ ｎｅ ８０ ， ｎ 　 ｃｏ ｃ ｅ ｉ ａｍ 　 Ｐ ｙｃ ｃ ｈ ５ ｈａＡｂ ｔａ ｔ ｓｒ ｃ ：Ｈｉｈ―ｐ ｒ ｒ ｎ ｅｌ ｕｄｃ ｒｍａｏ ｒｐ ｙｆ ｇ ｒｒｎ　 ａ　 ｅｎｗ ｄ ｌ　ｐ ｌ ｄｔ　 ｅｄ ｔｃｉｎａ ｄａ ａｙ ｉ ｏ　 ａ　 ｇ ｅ ｏｍａ ｃ 　 ｑ ｉ　ｈ ｆ ｉ ｏ ｔｇａ ｈ 　 ｎ ｅｐ ｔｈ ｓｂ ｅ 　 ｉ ｅｙａ ｐｉ 　ｏｔ 　 ｅｅｔ 　 　 ｌｓｓ ｆｒ － ｉ ｉ ｅ ｈ ｏ ｎ ｎ 　 ｔｄ ｔ ｎ ｌＣ ｉ ｅ ｅ ｍｅ ｉｉ ｅ ａ ｄ ｉ 　 ｒ ｐ ｒ ｔ ｎ ． Ｉ 　 ｒ ｅ 　 　 ａ ｎ ｇ ｏ 　 ｆ ｃ ｓ ｉｉ　ｈ 　 ｅ 　 ｉｔｔ　ｕｌ　 ｐ ａ　 ｐｉ ｍ　ｏ ｉ ｏ ａ　 ｈ ｎ ｓ 　 ｄ ｃ ｎ 　 ｎ 　ｔ ｐ ｅ ａａ ｉ ｓ ｎ ｏ ｒｔ ｇ ｉ 　 ｏ ｄ ｅ ｅ ｔ ， ｔ ｓｔ ｅｋ ｙｐ ｎ　ｏｂ ｉ ｕ 　 ｎｏ ｔ ｉ ｓ ｏ ｄ ｏ 　 ｏ ｄ ｍｕ ｃ ｍｍｏ 　 ｎｐ ｔｒ　ｆｈ　 ｅ ｉｎ　 ｎｅ ｒ ｔ ｈ　ｉ ａｅｎｏ　 ｅｍ ｄｃ ｅｆ ｇｒ ｉ ．Ｔ ｅｈｇ ｔ ｔ ｉ ｉ ｐ ｎ ｈ―ｐｒ ｒ ａ ｃ　ｑ ｉ　ｈｏ ａ ｇ ｐ ｙｆ ｇｒｒ ｔ ｆ ｙｅｉｕ 　 ｐ ｎ ｕ ｔ ｍ 　 　 ｅ ｏ ｎｅｌ ｕ ｃｒｍ ｔ ｒ ｈ 　ｎ ｅ ｉ 　 　 ｐｒ ｍ ｊｏ ｉ ｍ　 ｕ ｂｉ ｆ ｍ ｉ ｄ ｏ ａ ｉ ｐ ｎ ｏｈ ｃ ａ ｃ ｈ ｓｉ ｔ ｄ ｃ 　ｏ ｄ ｍｏ ｓｒ ｔ　 　 ｏ ｄ ｍｅｈ ｄ ｔ 　 ｕ ｌ　ｈ 　 ｏ ｎｒ ｕ ｅ ｔ　 ｅ ｎ ｔ ｅ ａ ｇ ｏ 　 ｔ ｏ 　ｏ ｂ ｉ ｔ ｅ ｃ ｍｍｏ 　 ａ ｔｒ ． ｏ ｄ ａ ｄ ｎｐｔ ｎ 　 ｅＫｅ　 ｏ ｄ ： ｉ ｙｗ ｒｓ ｈｇ ｈ―ｐｒ ｒ ａｃ　ｑ ｉ　ｈ ｍａ ｇａｈ ； ｙ ｅ ｃｍ ｊ ｎ ｕ 　 ｕ ； ｌｓ ｒ ａ ｓ ； ｏ ｍ ｎｐｔｒ　 ｅ ｏ ｎ ｅｌ ｕｄｃｒ ｔ ｒｐｙ ｈｐ ｒ ｕ 　 ｐ ｉ ｍ ｔ ｍｂ ｃ ｔ 　 ｌ ｉ ｃｍ ｏ　ａｅｎ ｆｍ ｉ ｏ ｏ ｉ ａ ｃ ｈ ｏ ｕ ｅａ ｙｓ ｎ ｔ［ 责任 编 辑卢 明德 ］