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NMCL版电力电子技术实验一之MOSFET特性及驱动电路
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一.实验目的熟悉MOSFET主要参数的测量方法。熟悉PWM信号主要参数的测量方法。掌握一个典型电力电子驱动电路的工作原理。研究MOSFET阻性、阻感性负载的开关特性。二.实验内容MOSFET开启阀值电压VGS、转移特性曲线及跨导gFS测试。PWM信号幅度、周期、占空比测试。驱动电路输入、输出延时时间测试。阻性、阻感性负载的MOSFET开关特性测试。三.实验电路四.实验设备五.实验步骤依次打开实验台左下方的自动开关。主控制屏左上方的低压直流开关。此时设备应有正常的控制电压LED指示。§1.MOSFET开启阀值电压测试1.1NMCL-07挂件主回路单元电源V+开关S1打向“通”。NMCL-31单元上部给定G单元开关S1打向“正给定”正给定输出。开关S2解除接地,打向“给定”。数字万用表测量选择开关置于DC—mA(2-20mA)档,红表笔位于mA电流测量输入端。示波器直流输入方式,(1-5)V/div量程,探头衰减开关位于10X处。1.2NMCL-07挂件主回路单元的“1”端与MOS管的漏极“D”端之间串入万用表(漏极电流ID测量)。NMCL-31单元给定G部分输出“Ug”及地端分别与MOS管的“G”、“S”端相连。示波器的测量输入接至MOS管的“G”、“S”端(栅源极电压VGS测量)。1.3NMCL-31单元上部给定G部分电位器RP1左旋回零(VGS=0)。电位器RP1逐渐右旋,以下表依次获取ID及对应栅源极电压的数值变化。漏极电流ID=1mA时对应的栅源极电压值即为其开启阀值电压VGS(th)。依据其测量数值计算MOS管跨导:gFS=△ID/△VGS。单位:S绘制其转移特性曲线:ID=?(VGS)。断开所有测试连线。§2.PWM信号输出测试2.1PWM单元的开关S打向“高频”。示波器的测量输入接至PWM单元输出“21”及右侧地端。用示波器输出观察PWM单元“21”端输出电压波形,记录其幅度、周期、占空比(占空比D=脉宽W/周期T)。§3.驱动电路输入、输出 延迟时间测试3.1NMCL-07挂件GTO/MOSFET/IGBT驱动电路单元电源开关S1打向“+15V”。驱动电路单元的输入“20”端与PWM单元输出“21”端相连。示波器测量输入CH1、CH2分别接至驱动电路单元的输入“20”及输出“26”端。3.2观测驱动电路输入、输出波形。观测驱动电路传输延迟时间ton、toff。为保证测量结果,推荐示波器水平扫描调节置于nS/div级。§4.阻性负载的MOSFET 开关特性4.1在上述接线基础上,再将驱动电路单元的输出“26”端与功率器件单元MOSFET的“G”端相连。主回路单元的“1”端与MOSFET的“D”端相连。功率器件单元MOSFET的“S”端与中部的电流取样电阻R5的“14”端相连。4.2电流取样电阻R5的“18”端与主回路单元的地“3”端及驱动电路单元的输出地端相连。示波器测量输入CH1、CH2分别接至MOSFET的输入“G”端、输出“S”端及地“18”端。4.3观测阻性负载的MOSFET输入、输出波形。观测阻性负载的MOSFET开通时间ton、存储时间tS、下降时间tf。§5.阻感性负载的MOSFET 开关特性5.1在上述基础上,断开主回路单元“1”端与MOSFET的“D”端间的连接。主回路单元的“2”端与MOSFET的“D”端相连。示波器测量输入CH1、CH2仍然接至MOSFET的输入“G”、“S”端及地“18”端。5.2观测阻感性负载的MOSFET输入、输出波形。观测阻感性负载的MOSFET开通时间ton、存储时间tS、下降时间tf。断开主回路单元“1”端与MOSFET的“D”端间的连接。主回路单元的“2”端与MOSFET的“D”端相连。示波器测量输入CH1、CH2仍然接至MOSFET的输入“G”端、输出“S”端及地“18”端。观测阻感性负载的MOSFET输入、输出波形,开通时间ton、存储时间tS、下降时间tf。谢谢观看!锯齿波同步相移触发电路的单相桥式全控整流电路负载左旋到底(900Ω阻值最大)。依次打开实验台左侧的自动开关。锯齿波触发电路部分的“Uct”、“7”端分别接主控屏左上部G(给定)部分的输出“Ug”端及地“⊥”端。锯齿波触发电路部分的“Uct”、“7”端分别接主控屏左上部G(给定)部分的输出“Ug”端及地“⊥”端。锯齿波触发电路部分的“Uct”、“7”端分别接主控屏左上部G(给定)部分的输出“Ug”端及地“⊥”端。锯齿波触发电路部分的“Uct”、“7”端分别接主控屏左上部G(给定)部分的输出“Ug”端及地“⊥”端。主回路单元的“1”端与MOS管的漏极“D”端之间串入万用表(借助表笔及专用测试插头连接)。给定G单元输出“Ug”及地端分别与MOS管的“G”、“S”端相连(借助专用测试插头)。示波器的测量
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