0.18tsmc18rf工艺库下载的两级运放能做多少的GBW

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-01-01 17:34 标签： tsmc18rf工艺库下载
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为什么两级运放第一级输入对管用PMOS更好？
MARTIN的书上说POMS输入对管Veff更大，这样能获得更高的SR，我很不理解。
SR不是输入电流和米勒电容决定的吗？而且通过需要的GBW可以计算出gm，gm=2I/Veff，那么Veff本身应该是由GBW和米勒电容决定了吗？无论是PMOS还是NMOS，都要调至这个过驱动才能满足要求，何来PMOS的Veff更大一说？
谢谢大家帮忙解答一下我的疑问。共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较_图文_百度文库
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共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较
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