手机芯片中国14纳米芯片光刻机工艺制程越小性能越强，手机会不会玩游戏更烫

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-08-21 19:45 标签： 芯片卡会不会消磁
微信扫一扫
广告联系：010- | 010-
手机版：官方微博：官方微信：pjtime
Copyright (C) 2007 ，投影时代网 版权所有老师说的纳米合啥意思-学网-中国IT综合门户网站-提供健康,养生,留学,移民,创业,汽车等信息
> 信息中心 >
老师说的纳米合啥意思
来源：互联网 发表时间： 4:57:24 责任编辑：鲁晓倩字体：
为了帮助网友解决“老师说的纳米合啥意思”相关的问题，学网通过互联网对“老师说的纳米合啥意思”相关的解决方案进行了整理,用户详细问题包括:RT,我想知道:老师说的纳米合啥意思，具体解决方案如下：暂时还未收集到解决方案,如您有解决办法请在下面留言回答
相关文章：
最新添加资讯
24小时热门资讯
Copyright © 2004- All Rights Reserved. 学网 版权所有
京ICP备号-1 京公网安备02号英特尔为什么牛X——移动芯片制程工艺一览（三）
前两篇说了一大堆，无非论证了，除了大家熟悉的xx纳米（线宽）越小制程越先进，评价目前半导体制程水平还有两点：Poly/SiON栅极和HKMG栅极的档次差距，以及如果同样是HKMG栅极的情况下，采用前栅极工艺（gate-first）和后栅极工艺（gate-last）对芯片在实际应用时的影响。前两篇说了一大堆，无非论证了，除了大家熟悉的xx纳米（线宽）越小制程越先进，评价目前半导体制程水平还有两点：Poly/SiON栅极和HKMG栅极的档次差距，以及如果同样是HKMG栅极的情况下，采用前栅极工艺（gate-first）和后栅极工艺（gate-last）对芯片在实际应用时的影响。这里再总结一下：（1）与poly/SiON相比，使用HKMG栅极，晶体管能做的更小，漏电也更少（2）在高性能/低功耗方面，使用后栅极工艺HKMG栅极的芯片较好可能大家会提到FinEFT即3D晶体管，这个是整个晶体管层面上的创新（三栅极晶体管），而之前我们讨论的、无论是关于HKMG栅极和poly/SiON栅极，还是gate-first/gate-last工艺，创新仅仅局限在传统晶体管的栅极上。考虑到目前只有Intel 一家实现了3D晶体管的大规模量产和实用，其他厂商完全与其不在一个档次上，而此文的主要目的是比较台积电、Globalfoundries、三星目前半导体制程工艺的优劣，所以就不再深究FinEFT的影响了。台积电28nm制程工艺分布情况台积电目前四种适应不同市场定位设备的28nm工艺，其中HP、HPL、HPM皆采用了HKMG栅极和后栅极工艺，而LP采用了poly/SiON栅极和前栅极工艺。所以，综合来看，HPM最好，LP最差。参照上图，性能方面HPM＞HP＞HPL＞LP，漏电HPL＜HPM＜LP＜HP。实用层面，高通MSM8960 Snapdragon S4使用的就是28nm LP工艺，而红米吹嘘的联发科四核芯片MT6589T也是台积电最差的28nm LP工艺。HPM的实用典范则是高通的骁龙800。最近MTK（联发科）发展势头惊人，已经曝光的下一代四核芯片MT6588和八核芯片MT6592将采用台积电28nm级别综合最好的HPM工艺。英伟达A15核心的Tegra 4使用的是漏电最少的HPL，看来为了控制A15的功耗，英伟达也只有在制程工艺上弥补了。GlobalFoundries的28/32nm 制程工艺情况Globalfoundries四种28nm制程工艺和单独列出的32nm制程，皆是gate-first即前栅极工艺，可见其目前的制造水准。这里不得不八卦一下，Globalfoundries最初成立是依靠从AMD分离出来的晶圆制造厂，后来获得中东超富产油小国的Advanced Technology Investment Company（ATIC）公司投资入股，到最后ATIC全资入股，所以Globalfoundries烧钱起来是毫不吝啬的。中东富豪投资这一行，花钱起来让人侧目，但似乎并不怎么上进。如上表，32nm级别的SHP和28nm级别的HPP、HP、SLP都是HKMG栅极，而G（unoffical）则是传统的Poly/SiON。客户一栏里我们也可以发现，Globalfoundries主要客户还是AMD。另外，据说Globalfoundires依靠价格优势以及台积电产能不足，今年第三季度从台积电那里分流了点MTK（联发科）和高通的28nm级芯片的订单，具体用在哪些产品上，笔者并不清楚，但可以肯定的是，这些芯片的品质非常一般。三星也传出把Globalfoundries当做是“后备工厂”，因为目前三星的晶圆工厂已无法同时满足自家芯片和苹果A系列移动芯片的需求，就把一部分订单转包给了Globalfoundries。苹果整天吵着要“脱离”三星，事实上，三星根本无所谓，你脱离了反倒释放了产能，可以给自己的产品集中供货。三星 28/32nm制程工艺情况三星目前的28nm级别制程使用的是HKMG栅极，但是是前栅极工艺。自家的Exyons 5系列芯片和苹果的A7，都是采用的此种工艺。但是千万别以此小看了三星。早在业界进入HKMG时代之初，三星声明支持前栅极工艺却秘密研发后栅极工艺，下一代无20nm/14nm全面使用后栅极工艺应该是板上钉钉了。还有更惊人的，三星的14nm级FinEFT即3D晶体管早在2012年年底就已经流片成功，相传明年旗舰Galaxy s5上的Exyons 6系列芯片就使用这种工艺制造，而量产时间点，就在明年2014年年初！相比之下，目前晶圆代工市场份额最大的台积电，其产品路线图显示2015年才会量产3D晶体管芯片。而Globalfoundries，在三星已经流片14nm FinEFT晶圆成功的前几个月，才刚刚宣布14nm 3D晶体管的研发计划。如果传言属实，三星进步神速不但会在技术上最接近Intel，最先进制程的大规模量产实用层面，则一举超过包括Intel、台积电和Globalfoundries。未来一年将是晶圆代工市场格局发生关键性转折的一年，三星无论在技术上、还是率先大规模实用最先进制程工艺上，很可能一鸣惊人，就此逆转老3的地位。至于苹果要脱离三星，圈内稍微有点常识的都知道，这对苹果来说是得不偿失，只能在媒体上吹风而已。把订单交给台积电，台积电不愿承担风险，为台积电增加投资和补贴意味着抬高成本；而把订单交给GlobalFoundries，GF如此懒散不求上进的“土豪”，无论是大规模量产供货上，还是产品技术品质，都竞争不过勤奋的亚洲人。Intel ？苹果得看别人的心情。总结
Intel在后PC时代还是保持着Tick-Tock的节奏，这几年在制程级别的代级领先和更先进的工艺技术，还是前几年积累的。竞争对手与其差距正在慢慢缩小。其中，三星尤其值得警惕。晶圆制造领域Intel 之外的其他厂商，台积电的表现算是稳扎稳打，但基于赢利/商业利益的考量，技术演进的速度还是过于保守了。靠钱堆起来的Globalfoundries 开始有了起色，正在慢慢走向成熟，但土豪的气质依然未变，靠脚底下石油不愁吃不愁穿的阿拉伯人，最欠缺的其实是亚洲人的上进心/危机感。三星的话，不多说了，看不久的将来会发生什么吧。
本文来源：cnbeta网站
关键词阅读：
跟贴热词：
文明上网，登录发贴
网友评论仅供其表达个人看法，并不表明网易立场。
热门产品:　　　
:　　　　　　　　
:　　　　　　　　　
热门影院：

我要回帖

更多关于 芯片卡会不会消磁 的文章

 

随机推荐