魅力四射3电字游乙玩的人多,那里有这个游戏

您所在位置: &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
铁电存储器与相关物理问题.ppt 125页
本文档一共被下载:
次 ,您可全文免费在线阅读后下载本文档。
下载提示
1.本站不保证该用户上传的文档完整性,不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。
2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。
3.登录后可充值,立即自动返金币,充值渠道很便利
铁电存储器与相关物理问题
你可能关注的文档:
··········
··········
铁电存储及相关的 物理问题
南京大学固体微结构物理实验室jszhu@nju.edu.cn 铁电体的基本特性
。存在自发极化P,且自发极化有两个或多个可能的取向,其取向可以随电场而改变。 。有一电滯回线 。TC 居里温度 。热释电,压电,电光,声光,非线性光学,铁电,介电性能
铁电体的应用 铁电存储器工作原理 当外加电场退到零时,在铁电体上仍然保留剩余极化电荷Pr 利用两个稳定的极化状态:正,负Pr 为 Bolean Algebra 中的编码1或0达到存储信息的目的    
铁电存储器的发展 1921年发现铁电性。 稳定极化+Pr
-Pr   可为1,0编码 1950,60 年代,使用铁电体材料,矫顽场高
电压 大于 100V
1970年代, 薄膜制备技术发展,使用 电压降低
Batra & Silverman Solid State Comm.11,291,1972,d & 400 nm 退极化场将使极化不稳 停止了IBM所有铁电薄膜的工作
*Tilley & Zeks Solid State Comm. 49,823,1984 分析了Pr随Z的关系, 重新研究开始 To低于体材料,存在一最小的d值 铁电存储器的发展
非挥发铁电随机存取存储器(NVFeRAM)和铁电动态随机存取存储器(DRAM)是近十年来发展最快的存储器之一。
铁电薄膜存储器具有体积小、重量轻,耐辐射,使用电压低,易与硅集成等优点,是当前与半导体、磁存储器并列的重要的存储器之一。近五年来已逐渐走向商业化。低密度的存储器已大量在IC卡、Smart卡中使用
1980年代NvFeRAM发展动力来自美国军方.
美军用飞机使用的非挥发存储器 [原图来自North America Defence Center(NDAC)1988] 军用飞机中使用的存储器 抗辐射,卫星,航天飞机 (Science
246,) 96K EEPROM 嵌入式雷达预警接收器 96K EEPROM 电子计数测量接收器 8M
可移动座仓计录器 36M SRAM 或EEPROM
主体计算机(SRAM) 16K EEPROM
导弹存储器 200M Bubble 存储器
飞行事故记录器
铁电存储器应用 1999年美国军用支持减少。 FeRAM 应用转移到商用。 1999年:4-64Kbit
Smart card 代替 EEPROM 年Mbit 代替SRAM, DRAM , Flash 存储器 铁电存储器(NvFRAM)嵌入硅微控制器(a single chip) 嵌入器件 可用于家用电器(洗衣机,洗碗机,干燥器,烘烤炉) 存储密度中等。 大的市场:4 Mbit 数码相机,256Mbit 音頻存储器 Sony 游戏站
数字存储器(cost/bit-access time) 1999存储器cost/bit—access
time 铁电存储器的发展动力 微电子领域本世纪最现实、最迫切的发展方向是由集成电路(IC)向集成系统(IS)方向的转变。芯片系统(SOC:system on chip)是当前微电子科技与IC产业发展的关键问题。用于SOC的新一代嵌入式铁电存储器是近几年国际上发展的热点。Sony公司最近已将4kbit的铁电存储器作为嵌入式存储器在不久前推出的PS2游戏机中广泛加以应用。而松下电器(MEI)半导体公司已将铁电随机存取存储器(FeRAM)定位为支持芯片系统 (SOC)业务的关键技术。 铁电存储器(1)
非挥发性铁电随机存储器(NvFeRAM) (Non-volatile Ferroelectric Random Access Memory) 即使在电源中断的情况,存储的信息也不会丢失 铁电体不仅作为电容而且是存储器的一部分
低电压运作(1.0-5.0V),
低功耗 小尺寸, 仅为EEPROM单元 的20% 抗辐射。(军用,卫星通讯) 高速:200ns 读取时间 易与其它Si器件集成 不同存储器的性能比较 非接触IC卡Chip 性能比较
铁电存储器(FeRAM)的电路结构(1) 1T-1C 式结构 1个晶体管(场效应管)和1个电容(铁电体为介质)组成一存储器单元 当电容中有不同电荷时,场效应管输出不同信息
铁电存储器(FeRAM)的电路结构(2) 2T-2C结构 由两个场效应管两个电容构成一存储器记忆单元 通过比较两边的输出而得出存储的信息
2T/2C与1T/1C比较
FeRAM器件结构
正在加载中,请稍后...

我要回帖

更多关于 长沙魅力四射酒吧 的文章

 

随机推荐