第一，共基极高频特性好的根据是不受集电结电容的影響此电容反馈信号直接入地，而共发射极接法会反馈到输入端但在音频范围内此影响可以忽略，共基极接法并没有优势相反却需要極强的推动，得不偿失

对于锗大功率管来说截止频率是很低的你可以查一下3AD6，3AD30和3AD18这些典型的管子的频率远远低于3DD15这类管子。

第二由於输入变压器次级的接入，输出管耐压指标是BVcer在激励信号的负半周起码是BVces（即基极、发射极短路时的耐压），并不是BVceo一般认为发射结反偏时BVces不低于BVcbo，共基极电路不具耐压优势

击穿主要发生在正半周啊

第三，同样因为推动变压器次级的接入三极管的实际漏流不是Iceo，而昰Icer在激励信号的负半周是Ices（即基极、发射极短路时的漏流），Ices等于Icbo共基极电路同样不具优势

为啥还是考虑负半周？正半周不考虑