ZnO片式压敏电阻厚膜中Cr_2O_3含量的优化(英文) 【摘要】：
研究三氧化二铬(Cr2O3)对氧化锌(ZnO)片式压敏电阻厚膜物相结构、微观结构和电性能的影响。X衍射分析表明:Cr2O3降低Bi4Ti3O12相的***温度,并最终影响陶瓷厚膜的致密度、晶粒尺寸及电性能。当烧结温度为880℃时,Cr2O3摩尔(下同)掺量为0.3%的陶瓷厚膜能够得到良好性能:体积密度ρv=5.52g/cm3,晶界势垒Φb=0.116eV,非线性系数α=24.8。研究烧结温度与片式压敏电阻微观结构和电性能的关系,Cr2O3掺量为0.3%的片式压敏电阻在880℃烧结时,能够获得最佳电性能:压敏电压V1mA=25V,α=23.6,漏电流Il=2.8μA。该片式压敏电阻的低烧结温度和高非线性在工业生产中具有很大优势。
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Due to the wide read use of integrated circuits,the miniaturization of circuits and protection agai t the electrostatic discharge(ESD)are increasingly becoming important,which corre ondingly requires multilayer chip varistors(MLVs)with high nonlinear
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备案号110 1081725Cr~(6+)胁迫培养对水生植物根际微生物的影响(英文) 【摘要】：
采用传统的微生物培养法,在实验室条件下,选择不同浓度的Cr6 +(5、10、15、20、50和80 mg/L)对大薸(Pistiastratiote)、慈姑(SagittariasagittifoliaL.)和穗状狐尾藻(Myriophyllum icatumLi .)进行胁迫培养,通过测定3种水生植物根际的微生物区系及与氮循环细菌的数量变化,研究3种水生植物根际微生物对重金属Cr6 +的耐受性。不同的植物根际微生物区系及微生物生理类群所用的培养基和测定方法不同,好氧细菌采用牛肉膏蛋白胨琼脂,放线菌采用改良高氏Ⅰ号培养基,真菌采用马丁氏培养基,硝化菌培养基采用改良斯蒂芬逊培养基,氨化菌采用蛋白胨培养基等。其中好氧细菌、放线菌、真菌、氨化菌用稀释平板计数法,硝化菌、亚硝化菌和反硝化菌用MPN计数法计数。结果表明,在Cr6 +的胁迫下,3类微生物的敏感性可概括为:放线菌细菌真菌,耐受性没有表现出明显的规律性;而对氨化细菌、硝化细菌、亚硝化细菌和反硝化细菌的影响多表现为低浓度刺激高浓度抑制的作用,但4种细菌的数量变化又表现出各自的特殊性。随着Cr6 +浓度的增加,当浓度达到15 mg/L时,反硝化和亚硝化细菌数量开始减少,20 mg/L时,硝化细菌数量开始减少,50 mg/L时氨化细菌数量开始减少,4类与氮素循环有关的细菌数量在高浓度(80 mg/L)极大部分都受到了抑制。
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Under normal circumstances, the micro-organisms willproduce two obvious effects after affected by heavy metalstre :①the number of micro-organisms that not suit to theenvironment will be of reduction or extinctio ②the number ofmicro-organisms that sui
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备案号110 1081725闪锌矿Ga_(1-x)Cr_xN铁磁性的密度泛函理论(英文) 【摘要】：
采用基于密度泛函的第一性原理方法计算了闪锌矿GaN掺Cr的电子结构和磁性。考虑不同掺杂浓度和位置,计算结果表明,Ga1-xCrxN呈现铁磁基态,Cr原子间是铁磁性耦合并团簇于N原子,Cr原子与最近邻N原子为反铁磁性耦合。我们采用双交换机制解释了磁性来源和机制。计算结果和最近闪锌矿GaN掺Cr的实验结果吻合。
【作者单位】
【关键词】
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【分类号】：
【正文快照】：
0 IntroductionIII-Vdilute magnetic semiconductor(DMS)ma-terials are increasingly attracting inte e interest a romising candidates for a newgeneration of multifunc-tional intronics devices[1].Numerous experimentsand ab initio calculatio have been ca
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