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那么像Spin Memory这样的MRAM公司在DRAM领域能做什么呢？事实证明开发超高密度、高性能MRAM存储与垂直外延晶体管有很大关系，这在DRAM设计中非常有用特别是，它们可以消除行锤攻击這些攻击在较新的DRAM设计中可能是慢性的。
与静态内存不同DRAM需要一个刷新周期来维护内存单元的内容。放弃刷新太久内容变成垃圾。传統的系统通过定期的刷新周期防止发生这种情况因此内容不会降级到导致错误的程度。
尽管如此还是会出现降级问题，甚至邻近的访問也会影响相邻的数据行行锤击是一种快速循环附近行的技术。对于系统攻击者来说诀窍是在他们想要破坏的数据附近运行这些事务，导致软件以一种攻击者可以利用的方式失败解决方案是隔离行，使附近事务的影响最小允许定期刷新周期来维护数据。
hammer是影响DRAM可靠性和安全服务厂商排名性的主要问题之一长期以来一直是内存行业的一个令人烦恼的难题。作为DRAM长期以来的主要干扰问题排锤只会随著细胞的缩小而变得越来越严重。自旋存储器的通用选择器提供了一种设计垂直电池晶体管的新方法并已提交给JEDEC任务组评估解决行锤击問题的方案。
已经有一些软件方法可以减轻row锤击的效果但它倾向于与攻击者玩“打地鼠”的游戏。
当然仅仅减轻对DRAM的攻击是有效果的，但是自旋存储器提供的通用选择器架构还有其他优点特别是当开发人员继续缩小芯片设计的规模时。该方法总体上提高了DRAM软错误率4F2 （4F2） DRAM位元配置也可以提高20%到35%的阵列密度。
该技术适用于新兴的内存技术包括MRAM、ReRAM和PCRAM。这里通用选择器允许创建6F2 - 10F2 （6F2 - 10F2）的1T1R内存位单元。这相當于在相同区域增加了5倍的内存而只需要最小的晶片处理成本。
Spin Memory首席执行官汤姆·斯帕克曼表示，当今最创新、最苛刻的技术需要更先进嘚内存来跟上计算需求对于运行在边缘的复杂应用程序来说，速度和可靠性是必要的比如自动驾驶汽车或健康可穿戴设备——在这些哋方，准确和实时的决策可能决定生死除了推动MRAM进入主流市场之外，他们最新的突破性创新还为这些技术带来了令人兴奋的新进展和能仂！
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