QY8.PH摩尔定律是否永久有效关闭了?

自1965年工程先驱戈登.摩爾(Gordon Moore)提出至今伴随着半导体产业走过了半个多世纪的“摩尔定律”第一次出现放缓的趋势。芯片行业也随之进入了一个不确定的时代在同样的投入下,收益变得越来越低所谓“摩尔定律”,即在价格不变的情况下集成在芯片上的数量每隔18到24个月将增加一倍,计算荿本呈指数型下降这个规律揭示了信息技术进步的神速,它让人们相信IC制程技术是可以呈现直线式的发展,通过先进的工艺能让IC产品歭续地降低成本同时提升产品性能。

摩尔定律成就了各种技术变革也让计算机的底层元件遵从着此定律整整50年,但在今年业界对摩爾定律的怀疑声连绵不断,未来几年摩尔定律是否会真的消失?它是否会改变如今的产业格局这个不好说,但是放缓的节奏是不可否認的摩尔定律的变化,给半导体产业带来了很多的不确定性

随着计算需求越来越复杂和艰难,计算机结构也越来越复杂在一块芯片仩集成的越来越庞大。如果继续采用在上运行编写好的程序这样一种方式显然是不可取的我们需要寻求突破。于是就有了针对特定的工莋使用定制硬件来算的想法基于性能、成本和灵活性的考虑,(现场可编程门阵列)便开始被广泛的应用

它的“现场可编程”,让使鼡者在做完芯片硬件设计和算法映射之后仍然可以对FPGA芯片进行实时、动态地修改,并且可以随时把它改写成其它用途的芯片甚至可以烸隔几秒修改一次。基于这样的灵活性前提下FPGA悄然迎来了技术发展的春天。

不论摩尔定律是否会失效还需要多久,它的“蹒跚前进”昰事实也实实在在给了半导体行业更多的机会和不确定。FPGA也将在此之中寻求更多方向的发展

“摩尔定律的终结可能是一个转折点。 这將充满挑战 - 但同时也是一个机会可以探索不同的方向,并真正打破这一定律”

原文标题:摩尔定律首次放缓,FPGA迎来发展的春天

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这个课程,是从需求、外壳选型、芯片选型、原理圖设计、PCB设计、制板、焊接、程序设计、调试、优化一直到最终的产品,一条

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我们将继续在业务的各个方面获得市场份额并致力于满足客户未来的需求。

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2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关提供过流保护(OCP),过压保护(OVP)和真正反向电流模塊(TRCB)来保护系统具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电流限制精度,500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度2 A至5 A的过流范围,可选择的OVP可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作,可根据系统要求进行优化 FPF2895C可用于一个24焊球,1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封裝(WL-CSP)间距为0.4 mm。“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限制: - 500

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部鉗位电路能够分流±100 V的浪涌电压保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通過逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP)带有背面层壓板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和葑装图...

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固萣延迟然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚可以自定义重置延迟。 特性 出厂巳编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 節省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过壓保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣嘚汽车环境超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关閉时模块保持活动模式时,此功能尤其重要 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常適合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用嘚汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上產生金属开路 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%在满额定負载电流下最大压差为600 mV。内部保护防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V輸出电压选项输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点吙关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向電压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 電路图、引脚图和封装图...

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程可實现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态電流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA) 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反姠电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 終端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态電流低至28μA非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择它具有5.0 V戓3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压最高VBAT = 40 V 维持稳压電压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持輸出电压调节(特别是在汽车起动过程中) 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性損坏 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度...

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼嫆,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有內部保护可防止45 V输入瞬变,输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流偠求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发動机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4是一款精密5.0 V固定输出低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA仔细管理轻負载电流消耗,结合低泄漏过程可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护防圵输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容当需要非常低的静态电流時,它可以替代这些部件 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短蕗保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压2%輸出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态輸入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容当需要非常低的静态电流时,咜可以替代该器件对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%在满额定负载电流下,最大压差为600 mV 特性 优势 5.0 V和3.3 V凅定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保護: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模塊 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即鈳启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4是一款宽输入范围,精密固定输出低压差集成稳压器,满载电流额萣值为100 mA输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电鋶下最大压差为500 mV。它具有内部保护可防止45 V输入瞬变,输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%在整个溫度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能专用于微处悝器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态電流的电池的应用。当点火开关关闭时模块保持活动模式时,此功能尤其重要 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...

0是350 mA LDO稳压器集成了复位功能,专用于微处理器应用其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用当点火开关关闭时,模块保持活动模式时此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出電流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV湔缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态電流 符合最新的汽车模块要求小于100μA 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路 非常广泛的Cout和E...

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能它专为设备和工业应用而设计,为设計人员提供了经济高效的解决方案只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用輸入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电鋶限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可鼡 电路图、引脚图和封装图...

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 鈳编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5VVOUT范围:0.6V至3.3V

V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行包括升压,反激正激,反相和SEPIC该IC采用电流模式架構,可实现出色的负载和线路调节以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽輸入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚與LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...

是一款线性稳压器能够提供450 mA输絀电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求可提供低噪声,高PSRR低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP)XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装 类似产品:

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)它通过滾动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能如分档,窗口以及视频和单帧模式它专为低亮度和高动态范圍性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路茭错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:?HiSPi(SLVS) - 4个车道?MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 荇动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...

持续集成不再是半导体的自然发展方向需要发生什么才能使它变得更容易?

只是因为可以做的事情并不总是意味着它应该完成半导体行业的一个领域正在学习如何继續保持芯片集成的不利方面。与此同时另一个小组刚刚开始看到将功能整合到单一基板上的好处。

一直遵循摩尔定律并将工艺技术曲线降至7纳米的公司不得不重新考虑他们的许多选择尤其是如果内容包含任何高速模拟信号。但即使是完全数字化的芯片也存在问题

与此哃时,寻求成本敏感供电的物联网边缘设备的公司正迅速从集成在板上的标准部件的设计转向结合MEMS,模拟和数字的SoC。他们以非常可控嘚速度跟踪技术曲线当他们在考虑芯片集成时,他们非常担心IP中额外的不需要的功能

摩尔定律已经为半导体行业提供了五十年的动力,尽管技术上没有终点但它肯定会在经济上放缓。

“虽然我们仍然拥有摩尔定律的密度优势但我们现在关注的是性能,功耗和成本之間的权衡”设计系统IP集团业务开发总监Tom Wong说。 “在28纳米以下由于工艺技术的复杂性,设计成本猛增我们现在处理光刻效应,多图案化囷finFET设计以及许多其它技术挑战。看看28nm与16nm与10nm的掩模成本我们敢问7纳米掩模的价格是多少吗?“

各个领域的成本都在上涨 “移动到下一個工艺节点的优势在于性能和功耗更低,”bus公司内存和部门副总裁Hemant Dhulla说 “巨大的缺点是流片和掩模的成本。当你从一代工艺升级到另一代笁艺时它的成本会大幅增加。这不是线性增长没有太多的公司可以承受7nm的流片成本。“

还有另一个组件需要花费资金 “更多的功能增加价值,但也导致芯片面积增加从而导致产量下降和成本增加,”研发部门主管兼技术总监Rob tken补充道

尽管一些市场对成本不敏感,并苴愿意允许芯片面积增长但它们正在达到极限。 “总会有一些公司推动新代工技术的领先优势因为他们可以利用更多的以及他们从一玳工艺升级到另一代工艺获得的节能优势,”Dhulla说 “他们真的试图推动尽可能高的系统性能,并且他们能够为他们的产品收取高昂的价格所以在很大程度上,成本是次要问题即便如此,他们可能无法将整个设计纳入芯片中因为你可能会遇到两种限制。一种是光刻尺寸限制另一种涉及I / O限制的设计。“

光刻尺寸限制了可以使用单个掩模曝光的芯片表面积的量这是由光刻设备设置的,它定义了可以暴露嘚最大尺寸而不会由于掩模中的变形或瑕疵造成错误。如果要制作更大尺寸的芯片则需要使用不同的掩模组进行多次相邻曝光,所有這些都必须精确对齐

Aitken指出:“新的封装和组装选项扩大了解决方案的空间,允许复杂的设计对于分划板来说太大 - 或者单芯片产量会低得囹人无法接受 - 可以分成几个芯片”Aitken指出。

直到最近成本阻止了使其成为一个可行的解决方案。 “当你使用7nm和5nm芯片时尽可能在老旧技術上分配尽可能多的东西是有道理的,”ArrisIP首席技术官Ty Garibay说 “7nm和5nm非常昂贵,因此在成本范围内有足够的空间来优化它使您可以将产品的关鍵部分优化为最适合的工艺流程。“

另外新工艺节点对模拟不利。 “业界已经知道某些东西不能很好地扩展”SRF Technologies和Certus Semiconductor总裁Stephen Fairbanks补充道。 “数字鈳以缩放但模拟不行。例如比以往任何时候都更具有模拟特性的高电压传感器和脉宽调制电源以及直流对直流转换器 - 当你使用finFET技术时,这些都不能很好地集成“

但这并不意味着模拟是不可能的。 “关于finFET器件满足高速模拟内容所要求的速度仍存在争议”Synopsys DesignWare模拟和MSIP解决方案事业部高级营销总监Naaj Nandra解释道。 “领域的从业者看到更多的与finFET结构这限制了器件的转换频率。但人们仍在用finFET进行创新并计算出制作鳍爿(fin)的高度,如何减少管上的鳍片数量以及可能改变器件性能的其他事情。但一般的学校认为如果你想要高性能射频,你最好将无線电的那部分放在片外“

只要这成为可能,它就会提供更多的选择 “如何在针对数字逻辑设计的过程中针对超高性能模拟或低功耗模擬进行优化”,Garibay提出的问题 “开发人员将更加容易问到如何以不同的方式解决问题,而不是越来越难因为上市时间本身就是成本函数。”

这些问题在芯片规划过程中越来越频繁地出现 Cadence的Wong补充说:“SoC的新特性不利于集成在同一芯片上,因为它们具有RF无线或MRAM等特定要求。” “一些功能可能需要砷化镓或其他深奥的工艺,而主流功能将继续依赖大批量的CMOS我们已经看到从PolySiON向HKMG过渡到finFET,现在开始看到E的首次實施我们距离3nm还差得很远,那里将会有另一项重大技术转向碳纳米管或栅极全面FET(gate-all-around FET)技术“

金属栅极改善与多重耗尽相关的电容和驱動的改善。 来源: / T

Dhulla提供了一个已经成功使用的dis-integraon的例子 “当你需要很多串行/解串器时,你可以选择使具有逻辑并且可以将串行/解串器作為脱芯的小芯片。 SerDes确实消耗了相当大的功率因此您可以通过分散集成创建更多的解决方案。“

这就是为什么高级封装最近取得了突破 “新的封装能力能够实现异构结构,从而为射频/模拟和高性能数字组件提供更好的隔离和有针对性的处理,这也可以引入新的电源和能源管理方法”Aitken补充说。 “采用这种方法仍然存在成本和复杂性障碍但我们预计随着时间的推移这种方法会变得更加容易。”

摩尔定律為物联网开辟了道路

尽管可能会为最先进的工艺节点构建问题但其他市场刚刚开始走向SoC。 Certus公司的费尔班克斯说:“在先进的工艺节点上存在分散集成问题,但在40纳米和65纳米稍大的节点处集成了先前在180纳米处集成的功能。” “每个人都在试图找到功能成本,功耗和性能之间的平衡点”

芯片铸造厂(既芯片代工厂)正在回应。 “代工厂正在改造55nm和40nm工艺节点并为逻辑库提供厚层器件,以提供低得多的泄漏电流”Nandra说。 “他们正在添加嵌入式闪存新的40nm工艺可能具有集成嵌入式闪存的泄漏库非常低,这两者都是物联网设备所需的技术怹们也希望在MEMs设备中进行封装。其中许多是低速应用需要延长电池寿命。“

“台积电刚刚发布了一款采用BCD技术的65纳米处理器”Fairbanks补充道。 “GlobalFoundries也是这样做的他们正在将更多的高电压功能与旧集成在一起。 180nm是今天的流行的工艺节点因为您可以将许多高电压和双极技术与180nm数芓集成在一起。我预计公司会希望整合稍好于180纳米的数字工艺所以我们看到了对65纳米的需求推动。“

边缘计算平台 来源:NTT

就像其他部汾一样,内容也会增长 “我们希望在边缘和枝叶设备上看到越来越多的功能和复杂性,”Aitken说 “这将允许进行更多的本地化处理,以便減少延迟和对带宽的要求而不是全面云端方法。”

但这并不意味着他们停止关心面积 “我们看到的一个因素,尤其是在更成熟的节点仩是用于物联网组件的精心设计的芯片,”公司的Caliber DRC应用市场总监John Ferguson说 “最终,他们不需要大量复杂的模具而是可以专注于非常小的模具以达到特定的目标。”

Nandra提供了一个寻找更精简的物联网IP示例 “我们必须重新设计我们的 2 IP,以便为40ULP 设备消耗更少的面积为了达到更小嘚面积和更低的功耗,在某些功能中存在权衡某些功能已被删除,其他功能(如电池充电)已添加代工厂不仅改造了他们的超摩尔技術,而且IP供应商不得不重新考虑一些架构以将面积和功率数量纳入这些市场的有用范围。他们仍然需要USB 2但他们不需要480MB / s。他们关心他们需要的数据速度的最佳功率和面积“

他们也在更密切地审查知识产权(IP)。 Ferguson说:“仍然需要一个好的值得信赖的IP。 “主要的区别在于以前可能有一部分IP可用于各种SoC,现在它可能更具有功能性”

工具也可以帮助删除浪费的逻辑。 “较少的晶体管和节点直接转化为较低嘚平均功率和动态功耗并降低了峰值电流,”Baum首席执行官Andy Ladd说 “当采取这种方法时,理解和分析功耗的方法至关重要否则,设计师无法理解其功能和功耗之间的权衡是否符合项目目标 EDA社区需要提供技术,以在设计周期的早期实际场景下精确分析功耗此外,IP提供商必須提供IP块的功率模型这些模块被用作基于SoC的设计的基础,以便设计人员可以使用不同的IP配置进行即插即用从而优化功耗与功能。“

创建具有代表性的场景是即将批准的便携式刺激标准的目标之一 “过去,系统级必须由人工创建并涉及编写能够在设计中的处理器上运荇的代码,”Breker Verification Systems首席执行官Adnan Hamid说 “这是困难的,耗时的并且对当今设备支持的复杂用例的覆盖率非常低。通过便携式刺激可以快速方便哋创建具有代表性的场景,从而能够评估IP选择和功率优化策略“

有人问,是否分散集成也可能是物联网的有效选择 “使用XPoint,OptaneMRAM或ReRAM等下┅代NVM技术,您无法在该技术中构建逻辑”Garibay说。 “因此我将进行2.5D或3D堆叠,快速有效地获取逻辑并利用这些新技术。”

通过去集成创慥了一种新的集成挑战。 Rambus的Dhulla指出:“在一个无法将所有东西都集成到一块芯片的环境中你必须在多个芯片上设计和分割整个功能,并且這些芯片如何相互连接在战略上变得非常重要” “在概念上,小芯片似乎是合乎逻辑和吸引人的挑战在于小芯片和ASIC之间的接口。广泛采用小芯片的一大挑战是具有成本竞争力的封装多家工厂需要解决这个问题并提供更好的封装解决方案。“

Garibay说这不是一个技术问题而哽像一个商业模式问题。 “有优势因为他们自己生产芯片的所有部分。当您从多家公司的芯片中创建2.5D或3D系统时停止创新的事情就是找絀死掉的多芯片系统的原因。尚未有一款能将两种不同公司产品结合的产品投放市场这是根本问题。没有人可以同意当你有一个可能會死亡的组合芯片,谁支付它“

这种新的整合水平也创造了机会。费尔班克斯说:“虽然存在一些分散集成但它们之间的I / O接口正变得高度专业化。 “如果你使用现成的标准I / O你会做出牺牲。它可以优化功耗或面积或适用于多种标准和功能您尝试添加到芯片中的功能越哆,您在I / O中需要的功能就越多我们看到的集成度越高,我们就越想优化I / O以实现诸如占用空间和功耗等事情。无论是更多的集成还是去集成I / O专业化变得越来越重要。“

这就创造了自己的一系列问题和优势 Fraunhofer自适应系统部门工程系统集成经理Andy Heinig说:“新型封装类型可以减少I / O引脚的必要空间。 “在板上使用100μm铜柱的芯片可以在小面积内实现大量I / O而且,扇出技术只需很小的额外成本就可以增加I / O的面积但是肯萣的是,这种集成方法需要早期的芯片和封装规划以及EDA工具的设计支持。我们与客户的经验表明在产品定义阶段或不久之后,I / O发生最夶可能的优化潜力如果在芯片已经设计好的情况下完成,那么就没有什么可以优化的“

封装基础设施变得越来越重要。 “历史上围繞设计和EDA验证的要求非常低,”Ferguson说 “我们现在开始看到这方面的重大变化,甚至OSAT也加入了确保整个生态系统设计完整性的概念”

另一個需要解决的问题是缺乏适用于芯片间通信的通信协议。 “HBM2今天是默认的”加里拜说。 “英特尔/ Stratix 10使用HBM2作为客户可接受的端口同时还定義了两种专门针对数据移动优化的协议。我认为在2.5D和3D领域中存在可以实现芯片的互操作性的IP差距根据协议调整公司对于高针数3D是有用的。“

EdgeIoT增长的市场影响。 来源:思科系统

我们还有很长的路要走可以购买小芯片并将其集成到产品中,但墙上的文字已经变得非常清晰 Cadence的Wong为企业提供了一个战略思考。

Wong说:“不要将整个复杂的SoC从一个工艺节点迁移到下一个工艺节点 “分而治之。只迁移需要下一个进程節点提供的最高性能的设计部分保留你花费了很多时间验证的复杂功能IP,并继续以小芯片的形式使用它并利用2.5D内插器等封装。在移动箌下一个节点之前最大化您的投资“

芯片设计的经济性比技术可能性更重要。随着新型工艺节点越来越昂贵封装技术开始看起来更具荿本效益 - 而且价格可能会大幅下降。而今天没有看到这一点的公司可能会在明天落后

原文标题:芯片的去集成化新趋势

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2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关,提供过流保護(OCP)过压保护(OVP)和真正反向电流模块(TRCB)来保护系统。具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电鋶限制精度500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度,2 A至5 A的过流范围可选择的OVP,可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作可根据系统要求进行優化。 FPF2895C可用于一个24焊球1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封装(WL-CSP),间距为0.4 mm“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ。在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限淛: - 500

0具有低R ON 内部FET工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性 FPF2290具有过压保护功能,可在輸入电压超过OVP阈值时关断内部FET OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件 FPF2290采用完全“绿色”兼容嘚1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 迻动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...

39既可作为重置移动设备的计时器又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出断開PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入连接一个外部电阻箌DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一個外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷准備使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...

4是一款350 mA LDO稳压器其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用当点火开关关闭时,模块保持活动模式时此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制热关断和反向输出电流保护等保護功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽車调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电壓调节(特别是在汽车起动过程中) 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性 车身控制模块 仪器和群集 乘员...

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静態电流 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV内部保护,防止输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最夶静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工莋范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 發动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器输出电流能力为150 mA。仔细管悝轻负载电流消耗结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV内部保护,防圵输入电源反向输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时鈳以替换这些器件 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可鉯在低输入电压下启动时运行 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电壓输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...

0B是┅款精密极低Iq低压差稳压器典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微處理器供电 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控淛& AEC-Q100资格要求 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小於100uA 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路 在空载条件下稳定 将系统静态电鋶保持在最低限度。...

5是一款精密5.0 V固定输出低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程可实现30μA嘚典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件输出电压精确到±2.0%,茬满额定负载电流下最大压差为600 mv它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即鈳启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集荿稳压器输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流输出电压精确到±2.0%,在满额萣负载电流下最大压差为600 mV 内部保护,防止输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流偠求(最大100μA) 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入電压下启动时运行 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐无线电 电路图、引脚圖和封装图...

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗结合低泄漏过程,可实现34μA的典型靜态接地电流 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装输出电压精确到±2.5%,在满额萣负载电流下最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 極低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容具有更低的静态电鋶消耗。其输出级提供100 mA输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。它具有内部保护可防止45 V输入瞬变,输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行 5.0 V和3.3 V固定输出電压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4是一款宽输入范围精密固萣输出,低压差集成稳压器满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变输入电源反轉,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器其输絀级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可鉯在低输入电压下启动时运行 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固萣输出电压输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

2昰350 mA LDO稳压器集成了复位功能,专用于微处理器应用其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久連接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用当点火开关关闭时,模块保持活动模式时此功能尤其重要。 Enable功能可用于进┅步降低关断模式下的静态电流至1μA NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处悝器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调節器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出電压调节(特别是在汽车起动过程中) 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏 短路 保护设备不会因电流过...

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时模块保持活动模式时,此功能尤其重要 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压仩升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽車起动过程中) 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏 短路 保护设备鈈会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...

0系列是一种线性稳压器和监控电路包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路電流限制固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内蔀热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压一个升压和㈣个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和關机模式 降压转换器:1.2***IN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V

V的宽输入电压范围内工作该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压反激,正激反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法将高频操作与高度集成的稳压器電路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 簡易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图囷封装图...

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像并包括复杂的相机功能,如分档窗口以及视頻和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字圖像并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓樾的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:?HiSPi(SLVS) - 4个车道?MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端產品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...

  摩尔定律最早由英特尔联合創始人 Gordon Moore 提出内容是:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件数量约每隔 18-24 个月就会增加一倍性能也将提升一倍。后面 Moore 修正了模型變为:单位面积芯片上的晶体管数量每两年能实现翻番。

  谁也想不到这个 1971 年提出的定律,竟能支配计算领域长达 44 年的时间直到今忝,英特尔官方宣布放弃过去十年坚持的 ck-Tock 处理器发展模式,通过延长制造工艺的生命周期将之前的处理器研发周期从“两步”变成“彡步”:

  制程工艺(PROCESS)

  英特尔 CEO Brian Krzanich 表示,“我们的更新周期已经从 2 年延长到了 2 年半”

  这意味着对于英特尔而言,摩尔定律已经夨效

  摩尔定律的失效,并不出乎人们的意料微软研究院的副总裁 Peter Lee 曾经开玩笑说:“预测摩尔定律将会失效的人数,每 2 年都会翻上┅番”而在英特尔官方宣布放弃追求摩尔定律曲线的时候,这一天也就到来了

  摩尔定律对整个计算产业有着举足轻重的影响。我們最为关心的是在摩尔定律之后,计算领域会发生什么改变***就在以下十大方向,包括:

  1、从根本上改变芯片的设计:包括 3D 维喥的芯片设计、周围栅极、量子隧穿效应等

  2、寻找硅材料的替代品:包括硅 - 锗(SiGe)、合金隧道、III-V 材料设计、石墨烯、自旋晶体管等。

  3、从现有晶体管寻找出路:多核芯片、特制芯片、新品种芯片

  4、计算框架的变革:量子计算框架、光通信、量子阱晶体管、鉮经形态计算、近似计算。

  摩尔定律的黄昏将带来机遇、混乱和大量的摧毁性创意一个原本依赖于大量设备稳步升级的行业将被撕誶。那么计算的未来究竟会怎样发展?

  摩尔定律背后的物理瓶颈

  摩尔定律并不是一套“物理定律”而是大公司定义的经济规則。在以英特尔为首的芯片公司定义了一套游戏规则要在两年的时间里把晶体管数量增加一倍,同时成本减少一半

  过去这套经济規则并没有违反物理定律。研究人员发现当晶体管在体积变小时,性能也会变得更好:

  体积较小的晶体管在开启关闭时需要的能量哽少、速度也更快这意味着你可以使用更多更快的晶体管,而无需付出更多能量或产生更多废热因此芯片可以在越做越大的同时、性能也越来越好。

  能做到这一点的公司获得了成功而做不到的则逐渐被历史淘汰。但当晶体管尺度变小到小型化的极限“原子尺寸”嘚时候事情变得和人们期待的有所不同。

  在这种原子尺寸下现代晶体管的源极和漏极非常接近,大约是 20 纳米的量级这会引起隧噵泄露,剩余电流能够在装置关闭的时候通过浪费了电量和产生不必要的热量。

  从这个来源产生的热量会导致严重的问题许多现玳芯片都必须低于最高的速度运行,或者周期性的关闭部分开关以避免过热这限制了它们的性能表现。

  现在的芯片晶体管间距已经茬 10 纳米左右的量级了减小间距会带来非线性的成本增加,根据国际商务战略公司 CEO Handel Jones 的估计当业界能够生产晶体管间距 5 纳米的芯片时(根據过去的增长率来看可能出现在2020年代早期),晶圆厂的成本可能飙升到超过 160 亿美元这是英特尔目前年营收的三分之一。

  2015 年英特尔的姩营收是 554 亿美元只比 2011 年增长了2%。这种营收的缓慢增长与成本的大幅上涨带来了显而易见的结论:从经济的角度来看,摩尔定律已经过時了

  很显然,传统的芯片设计方案已经到达了瓶颈要找到下一代芯片,会需要两个广泛的变化

  1、晶体管的设计必须从根本妀变;

  2、行业必须找到硅的替代品,因为它的电学属性已经被推到了极限

  1、根本改变芯片设计

  针对这个问题,一个解决方案是重新设计隧道和栅极按照惯例,晶体管一直是平面的但自从 2012 年之后,英特尔给产品增加了第三个维度要启用它来生产出只有 22 纳米距离的芯片,它切换到了被称为“finFETch”的晶体管这个产品让一个通道在芯片表面竖起来,栅极围绕着该通道三个裸露的方向(第二张图)这使得它能够更好的处理发生在隧道内部的任务。这些新的晶体管做起来比较棘手但相比过去相同尺寸的版本,要快 37%而且仅仅消耗一半的电量。

  下一个逻辑步骤Argonne 国家实验室的 Snir 先生说,是周围栅极(Gate-All-Around)的晶体管它的通道被四面的栅极环绕。这能提供最大的控淛但它给制造过程增加了额外的步骤,因为栅极必须在多个部分分别构建大的芯片制造公司,例如三星曾经表示它可能会使用周围柵极的晶体管来制造 5 纳米分离的芯片,三星以及其他的制造商希望能做 2020 年代前期达到这个阶段。

  (3)量子隧穿效应

  除此之外需偠更多外部的解决方案一种想法是利用量子隧穿效应,这对于传统的晶体管来说是很大的烦恼而当晶体管缩小的时候,事情也总会变嘚糟糕这是有可能的,通过施加电场以控制隧道效应发生的速率。低泄漏率对应状态 0高泄漏率对应 1。第一个实验隧道晶体管由 IBM 的团隊在 2004 年展示从那之后,研究人员一直致力于商业化

  2015 年,美国加州大学一个由 Kaustav Banerjee 领导的研究小组在 Nature 上发表了一篇文章,他们已经建竝了一个隧道晶体管工作电压只有 0.1,要远远小于比目前正在使用的 0.7V这意味着更少的热量。但是在隧道晶体管变得可用之前还有更多嘚工作需要完成。ARM 的微芯片设计师 Greg Yeric 说道:“目前它们在打开和关闭开关的速度还不够快不足以让它们在快速的芯片中使用。Jim Greer 和他在爱尔蘭 Tyndall 研究院的同事提出了另一个思路它们的设备被称为无连接纳米线晶体管(JNT),旨在帮助解决小尺度制作的问题:让掺杂做的足够好“这些天你正在谈论半导体掺小量的硅杂质,然后会很快来到这个点即便是一个或两个杂质原子的错误位置,都会激烈的影响晶体管的表现”Greer 博士说道

  相反,他和他的同事提出建立自己的 JNTs距离一种一致掺杂的硅,只有 3 纳米的跨越通常来说,这会导致一条电线洏不是一个开关:一个有着均匀导电能力的设备,而且不会被关闭但是在这种微小的尺度下,栅极的电子影响能够刚好穿透电线所以單独的栅极能够防止,在晶体管关闭的时候进行电流流动

  传统晶体管的工作原理是,在原本彼此隔离的源极和漏极之间搭建电桥Greer 博士的设备以其他的方式工作:更像一个软管,栅极充当着避免电流流动“这是真正的纳米技术,”他说:“我们的设备只能在这个尺喥上工作而最大的好处是,你不需要担心制造这些繁琐的结点”

  2、寻找硅的替代品

  芯片制造商也在用超越硅的材料进行试验。去年一个包括了三星、Gobal Foundries、IBM 和纽约州立大学的研究联盟,公布了一个 7 纳米的微芯片这个技术被在 2018 年以前,并不被期待来到消费者的手Φ它使用了和上一代发布的 FinFET 相同的设计,做了轻微的修改但尽管大多数的设备都是从通常的硅制作完成的,其晶体管大约一半都是由矽 - 锗(SiGe)合金制成的隧道

  (4)硅 - 锗(SiGe)合金

  选择了这种设计,是因为在某些方面这是比硅更好的导体。再一次这意味着更低的功率使用,并且允许晶体管更快的打开和关闭提升芯片的速度。但这不是万能药IBM 物理科学部门的负责人 Heike Riel 说。现代芯片从两种晶体管构建一个被设计为传导电子,带着负电荷其他种类被设计来导入“洞”里,这会放置在可能、但意外没有包含电子的半导体中这些的出现,表现的就像它们带有正电荷的电子并且,虽然硅锗擅长输送“洞穴”但相比硅来说,它不是很擅长移动电子

  沿着这些线路到更高性能的表现,未来的路径可能需要同时把硅锗和其他混合物让电子能比硅制材料中更好的移动。拥有最好电学性能的材料昰一些合金例如铟,镓和砷化在元素周期表中统称为 III-V 材料。

  麻烦的是这些材料很难和硅进行融合。它们晶格中原子之间的间隔距离和硅原子之间有很大的不同。所以将它们的一层增加到硅基片中从中所有芯片的制作都会导致压力,这会带来芯片断裂的压力

  最著名的替代方法是石墨烯,它是单原子厚的碳形式(二维)石墨烯在操作电子和空穴的时候表现的非常好,但难点在于如何使它停止下来研究人员一直试图通过掺杂、压碎、挤压石墨烯,或者使用电场来改变电学的性能现在已经有了一些进展:曼彻斯特大学 2008 年報告了一个正在工作的石墨烯晶体管;加州大学 Guanxiong Liu 带领的研究小组,2013 年使用了一种有“负电阻”特性的材料以制作设备但对石墨烯真正的影响,Yeric 博士说道是刺激对其他二维材料的兴趣。“石墨烯是一个打开的盒子”他说道:“我们现在正在寻找像二硫化钼的物质,或黑銫磷、磷硼的混合物”重要的是,所有的这些都像硅一样可以很容易打开和关闭。

  如果一切都按照计划进行Yeric 博士说,新型的晶體管设计和新材料可能让事情在 5 年或 6 年里还滴答作响,到了那个时候可能会有 5 纳米的晶体管但除此之外,“我们已经用尽了一切方法避开真正根本性的需求。”

  对于这方面来说他最倾向的候选对象是所谓的“自旋电子学”。电子系使用一个电子的电荷来代表信息自旋电子学使用“旋转”,这是电子的另一个固有属性并且和物体拥有的转动能量相关联。它很有用旋转有两个变化:向上和向丅,它可以用来表示 1 和 0计算机行业对自旋电子学已经有了一些经验:例如它是硬盘里的应用。

  对自旋晶体管的研究已经超过了 15 年泹是迄今为止还没有投入生产。难做的是驱动它所需的电压是非常微小的:10-20 毫伏,相比常规的晶体管要少数百倍这可以解决热量的问題。但是这也带来了设计的问题 Yeric 说道。有着这种分钟电压在电子噪音中区分 1 和 0,变得非常棘手

  “在实验室里建造一个新奇的晶體管,是相对而言比较容易的事情”分析师 Linley Gwennap 说道。“但是要取代我们今天正在做的事情,你需要在一个芯片上投入数十亿美元需要囿合理的成本,以及非常高的可靠性而且几乎要没有任何缺陷。我不会说着无法做到但这是非常困难的。”这也让寻找其他的办法制莋更好的计算机变得十分重要。

  3、从现有晶体管寻找出路

  严格的说摩尔定律是关于越来越多数目的组件,可以被整合进一个給定的设备中更一般的说,计算机总是变得越来越好随着晶体管变得越来越难以缩小,计算公司开始考虑更好的利用已有的晶体管设備“过去管理者们不希望在密集设计上投入过多,”ARM 的 Greg Yeric 说道:“我认为这将会开始发生变化”

  一种方法是:让现有的芯片工作强喥更大。电脑芯片有一个主时钟每次它滴答的时候,里面的晶体管就会进行开、关动作更快的时钟,意味着更快的执行指令提高时鍾速率已经使得芯片在过去的 40 年里变得更快的主要途径。但是在过去的 10 年里,时钟速率几乎没有变化

  芯片制造商通过使用额外的晶体管,压缩以复制芯片已有的线路作为回应这种“多核心”芯片,把一些比较慢的处理器捆绑起来要比单纯依靠单一的快速处理器表现的要更好。大多数现代的台式计算机是 4 到 8 核有的甚至有 16 个核。

  但是正如业内人士发现的,多核芯片的速度达到了限制“大镓一致认为,如果我们继续这样做如果我们的芯片有 1000 个核,那么一切都会好起来的”微软芯片设计专家 Doug Burger 说道。但是要获得最佳的芯爿,程序员们不得不把任务人***成小块让它们可以同时工作。“事实证明这真的很难。”Burger 博士说实际上,对于一些数学任务而言这是不可能的事。

  另一种方法是专攻使用最广泛的芯片,例如 Intel’s Core 产品线或者那些基于 ARM’s Cortex 设计的芯片(在地球上几乎所有的手机嘟能找到)都是多面手,它们具有很强的灵活性不过这是有代价的:它们可以做一切事情,但没有一件事情能做的完美调整硬件,让咜更好的适用于特别的数学任务可以让你在解决一般性的任务时,有着 100 到 1000 倍的提升Intel’s

  专门特制的芯片已经在计算行业的一些领域Φ得到使用。最著名的例子是用来提高视频游戏视觉效果的显卡由Nvidia和AMD之类的公司所设计,在1990年代中期崭露头角英特尔后来的奔腾芯片吔有为一些任务(比如视频解码)设计内置的特制逻辑。但这正也有缺点

  设计新的芯片需要数年的时间,研发成本可能高达数千万甚至数亿美元特制芯片也比通用用途的芯片更难编程。并且由于天性使然,它们只能提升某些任务上的性能表现

  特制逻辑更好嘚目标对象——至少在一开始的时候——可能是数据中心,这些需要庞大计算力的仓库为运行互联网的服务器提供着动力

  由于数据Φ心处理着海量的数据,它们可能永远都需要一块只能做一件事、但做得非常好的芯片

  基于这个原因,微软——全球最大的软件公司和云计算服务供应商之一——正在投资芯片设计业务2014年,微软公布了一台名为Catapult的新设备它使用了一种叫做现场可编程逻辑门阵列(FPGA)的特殊芯片,这种芯片的设置可以随心所欲地进行调整FPGA提供了一种介于特制和灵活之间的折中,非常实用带领Catapult研发团队的Burger说道:“這是想要在可编程的软件以外也有可编程的硬件”。当一个任务结束以后FPGA可以在不到1秒内被重新调整到符合另一个任务的设置。

  这種芯片已经被微软的搜索引擎Bing所使用微软表示,FPGA使服务器在给定时间里能处理的请求数量翻了一倍除此之外,也有许多其他的潜在应鼡Peter Lee这样说道,他是Burger在微软的顶头上司当某种特定的算法需要被反复应用在数据流上时,FPGA脱颖而出一种可能性是用Catapult来加密计算机之间嘚数据流以确保它们的安全性。另一种可能性是将它用在云端互联手机的语音识别和图像识别任务上

  这种技术不是全新的,但是直箌现在才找到使用它的理由全新的是“云端正在以让人瞠目的速度增长,”Burger说道“现在摩尔定律正在不断放缓,这使得越来越难以增加足够的计算力来与云端相匹配所以这类后摩尔时代的项目开始变得有经济意义。”

  撇开鳍形晶体管(finned transistors)不谈现代芯片都是非常扁平的。但是也有一些公司包括IBM,正在研究将芯片互相叠加——就像一层一层叠高楼房一样——来让设计师们能够在给定区域里安置更哆晶体管三星已经在销售用垂直堆叠的闪存制作的存储系统了。去年英特尔和Micron(一家大型内存制造商)宣布研发出了一种名为3D Xpoint的新型內存技术,能够利用堆叠的内存

  IBM的研究人员们则致力于研究某种稍有不同的东西:将内存层(slices of memory)叠在处理逻辑层(slices of processing logic)之间,像三明治一样的芯片这将能让工程师们把大量的计算封装到非常小体积的芯片上,同时带来很大的性能提升传统计算机的主存储器(main memory)位于距离处理器几厘米远的地方。从硅晶的传递速度(silicon speeds)来说一厘米已经是非常长的距离了。在这样的距离上传递信号也很浪费能量将内存移至芯片中以后,就把这些距离从厘米级降到了微米级使数据传输更快速。

  但是3D芯片面对着2个大问题第一个就是热量。扁平的芯片在这方面已经够糟糕了在传统数据中心里有数以千计的风扇为服务器散热,轰鸣声不绝于耳增加叠加层数以后,芯片内部——也僦是热量产生的地方——热量增加速度会超过散热速度

  第二个问题是如何接入电力。芯片通过其背面数以百计的金属“针(pins)”与外界相连现代芯片对电力的需求高到多达80%的金属针都被设置为用来传输电力,只剩下非常少的数量用来处理数据输入和输出在3D形态下,这种局限被放得更大因为同样数量的金属针必须要满足比原先复杂得多的芯片。

  IBM希望能通过在3D芯片中置入微型内部管道来一箭双雕地解决这2个问题微流控通道(microfluidic channels)可以将冷却液运往芯片的核心部分,一下子将内部空间中的热量都带走这家公司已经在传统的扁平芯片上测试了这种液体冷却技术。微流控系统可以最终从1立方厘米的空间里带走大约1千瓦的热量——差不多和电加热器上一片加热器的输絀差不多这个团队的负责人Bruno

  而液体能做的不只是冷却芯片,它也能传递能量受到自己生物学背景的启发,Michel将这种液体命名为“电孓血液”如果他能顺利完成的话,这种液体之于计算机芯片就会像生物血液之于生物体:在提供能量的同时保持体温恒定Michel的想法是液鋶电池(flow battery)的一种变体:在液流电池中,两种液体在膜的两侧相遇并产生电流

  液流电池非常简单易懂。电力行业一直在研究液流电池想将它作为储存来自可再生能源的能量的一种方式。Michel的系统距离商业应用来说还有许多年要走但是原理已经确立:当Ruch打开液流开关,管道连接到的芯片就会“苏醒”——而你在视线范围内根本看不到插头或是电线

  量子技术可以实现速度上的大飞跃,但是只是在特定的应用上

  THE D-Wave 2X 是一个黑色的盒子,看起来有点像电影《2001:太空漫游》中神秘的黑石板的缩小版它不是一般的机器,它是世界上第┅台在商业上可用的量子计算机目前已经和惠普、微软、IBM 和谷歌建立了合作。

  量子计算是一种完全不同的处理信息的方法在一些普通机器难以处理的问题上,它拥有巨大的速度优势即使摩尔定律得以无限地延伸下去,这些问题也会持续的困扰普通机器

  而量孓计算常常是被误解,有时是过分吹嘘的其中部分原因是该领域本身还很新,所以其理论基础依然还在搭建中在一些任务的完成上,量子机器毫无疑问要比最好的非量子机器要快但是在其它的大部分任务上,这一优势就没那么明显了“在许多情况下,我们不能确定某个量子计算机会比大家熟知的经典计算机快”麻省理工学院的计算机科学家 Scott Araronson 说。可用的量子计算机将会是一个福利但是没人能确定這个福利会有多大。

  一个例子是找到一个很大的数字中的质数因子:这个问题中,随着目标数字变大难度会呈指数式的递增。换呴话说摩尔定律中,每一次芯片工艺的升级都只能再影响到稍微大一点的数字。确定质数因子组成了大多数密码的数学支柱这能在數据游走在互联网上时起到保护作用,恰好是因为这很困难

  两个非常规的量子现象,量子比特或者说是量子位,在运行是完全不┅样的第一是“叠加”态,指一种持续不确定性的状态能让原子同时能在不同的状态存在。比如一个量子粒子是没有具体的位置的,只有说是有出现在某个地方的可能性在计算层面,这意味着一个量子位,不是特定的1或特定的0而是以二者混合的方式存在。第二個量子现象是“牵连”态不同粒子的发展绑被在一起,所以其中某一个粒子受到影响的话会立刻在其它粒子上有所反映。 这能让量子計算机在同一时间处理所有的量子位

  结果便是,一台机器能够一次性地呈现并处理海量的数据例如,一个300量子位的机器能够同時描绘2300个不同的1和0串,这一数字几乎等同于可见宇宙中所有的原子数量并且,由于量子位是牵连的所以要同时处理所有的这些数字也昰可能的。

  光通信:使用光来代替电在电脑,甚至芯片间进行沟通这将能降低能源消耗,促进发展惠普、麻省理工学院。

  哽好的存储技术:建造新的快速、密集和便宜的内存解决在计算机性能上遇到的瓶颈。英特网美光(Micron)。

  量子阱晶体管:使用量孓现象来改变晶体管中的电池的表现提升性能,使得摩尔定律能够再反复提升速度,降低能源消耗

  开发新的芯片和软件:在从專门化的芯片串建立的机器上实现代码编写的自动化。已经证明这在Soft Machines上尤为困难。

  近似计算:让计算机的内部表征数字更加精确鉯减少每次计算时的比特数量,进而节省能源;允许计算机在计算中发生随机的小失误能够释放配对的其它比特,这也能节约能源华盛顿大学,微软

  神经形态计算:以动物大脑中处理信息的缠结和紧密联结的神经束为模型开发设备。这可能会降低能源消耗想识別模式和其它的AI相关的任务也被证明是有用的。IBM高通。

  碳纳米管晶体管:这些卷起的石墨片材保证了低的能力消耗和高的速度正洳石墨烯那样。和石墨烯不同它们也能够轻松的关闭。但是很难进行量化生产IBM,斯坦福大学

  摩尔定律的终结将会让计算机行业變得更加的复杂。在摩尔定律处于巅峰时期时行业是很简单的。计算机的以可预测的方式和速度升级随着节拍被打乱,计算机行业将荿为一个更加复杂的地方类似智能设计和狡猾的编程是有用的,奔腾的芯片设计师Bob Colwell说:“但是许多一次性的创意的集合不能弥补潜在指數上的不足”

  跟此前相比,发展将变得更不可预测受到的局限会增多,速度会减慢“随着摩尔定律消退,我们被迫在三个方面即力量、表现和成本上作出艰难的选择”,ARM的芯片设计师Greg Yeric说“一个特定的***不能完美地服务于所有的终端使用。”

  摩尔定律的黃昏将带来机遇、混乱和大量的摧毁性创意一个原本依赖于大量设备稳步升级的行业将被撕碎。

  软件公司将开始进入硬件生产;硬件制造商需要改进自己的产品更贴近用户越来越多样化的需求。但是正如Colwell所说,要记得消费者并不会在乎摩尔定律:“大多数买计算机的人甚至根本胡知道晶体管有什么用”。他们仅仅是想要这个产品他们购买,是想要更好、更有用过去,这意味着大多数都是在速度上获得指数式的增长这条道路已经走到尽头。但是依然有很多别的方法来制造更好的计算机

参考资料

 

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